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公开(公告)号：CN103864064A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410079966.9
申请日：2014-03-06
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种新型制备氮掺杂石墨烯的新方法，是通过以下工艺过程实现的：将经过表面去污处理的商业购买的SiC晶片置于高温管式炉的中心位置，密闭管式炉，在Ar气保护下加热到1500oC后，通入200sccm的NH3反应15-120min，随后在Ar气保护下冷却至室温，在SiC晶片的表面得到了氮掺杂的石墨烯。本发明的特点是：在常压、氨气环境下在SiC晶片表面一步得到了氮掺杂的石墨烯，氮掺杂的石墨烯可作为一种优异的光电材料。
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