公开(公告)号：CN102263036A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110182882.4

申请日：2011-07-01

Applicant: 新疆大学

Inventor： 姚菊枚 ,  王贺勇 ,  杨冰 ,  杨林钰 ,  简基康

IPC: H01L21/363 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/26 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明属于纳米线异质结制备领域，是一种在催化剂辅助下用真空热蒸发法生长CdS纳米线，并在其径向包覆ZnS的方法。具体实施工艺如下：第一步，将CdS和Bi粉按1∶0.05mol的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，舟上方1.0cm-2.0cm处放置衬底。蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa，加热电流为100A-120A，沉积时间为2min-10min，制备出CdS纳米线。第二步，以ZnS粉为原料，置于舟中，以CdS纳米线为衬底。将衬底置于舟上方1.0cm-2.0cm处，蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa，沉积电流为120A-140A，沉积时间为2min-10min，在CdS纳米线上包覆ZnS。最终得到CdS/ZnS纳米线径向异质结。本发明所得的CdS/ZnS纳米线异质结具有光学特性好、形貌均匀等特点；且方法简单，易于推广，适合大规模工业生产。