公开(公告)号：CN103964503A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410227076.8

申请日：2014-05-27

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  位顺航 ,  孙言飞

IPC: C01G23/053 ,  B01J21/06

Abstract: 本发明公开了一种黑色二氧化钛的制备方法，该方法包括：钛酸丁酯，尿素，无水乙醇，盐酸（分析纯），去离子水混合，在35℃水浴锅中恒温半小时，室温下磁力搅拌两分钟，静置11小时，磁力搅拌两分钟，放入80℃水浴锅中恒温9个小时形成淡黄色物质，在Ar/N2气环境中设定温度（500-550℃）下保温3小时，之后自然降温。本发明的方法简单，对设备要求低，成本低，易于推广，适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102205951B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110091772.7

申请日：2011-04-13

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨建强 ,  吴荣 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。

公开(公告)号：CN101962177B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010508431.0

申请日：2010-10-15

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李锦 ,  李先卯 ,  简基康 ,  孙言飞 ,  吴荣

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明公开了一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法，是通过以下工艺过程实现的：将碲粉(Te)利用硼氢化钾(KBH4)还原成Te2-的溶液，然后依次加入Cd源和乙二胺水溶液，密封高温保存一天，反应完成后清洗样品，得到的黑色固体即立方相的碲化镉纳米带。本发明的特点是：方法简单，产率高，所制得的CdTe纳米带均匀性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102432059A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110292468.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  蒋小康 ,  简基康 ,  任银拴 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01G9/03 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法，其特征在于通过以下工艺实现：称取一定量的Zn粉（99.9%），置于陶瓷舟内，将陶瓷舟推入内衬有石墨纸的石英管式炉中心；两端密闭，用机械泵抽至0.1Pa,通入氩气洗气30分钟，以10℃/Min的升温速率加热至800℃，同时在氩气管的入口接有一个玻璃瓶（体积2L）,瓶内装有200ml丙酮，氩气在瓶内起泡将丙酮带入石英管与Zn蒸汽反应，氩气流量50sccm,反应2小时，自然冷却至室温；在下游管口处内衬石墨纸上收集样品。本发明的特点在于：工艺简单，无催化剂；产物物相、形貌可控；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广。

公开(公告)号：CN101693528B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910113486.9

申请日：2009-10-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨林钰 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦 ,  郑毓峰

IPC: C01B19/04 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa，加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是：所得的硒化锌单晶纳米线适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN101693550A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910113485.4

申请日：2009-10-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  简基康 ,  杨林钰 ,  刘莉丽 ,  孙言飞 ,  郑毓峰

IPC: C01G11/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN103991850A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410202392.X

申请日：2014-05-14

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  陈俊安 ,  史罗红 ,  危韦 ,  刘从 ,  刘洋 ,  孙言飞 ,  李锦

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明公开一种掺杂S的ZnTe的制备方法，该方法包括，在乙醇胺溶剂中，亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃～200℃反应12～24小时，即得到掺杂S的ZnTe。本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，一次产量高，成本低，所得掺杂S的ZnTe的分散性好，颗粒大小在50～100nm之间。

公开(公告)号：CN101851781B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010137608.0

申请日：2010-04-01

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  李海兵 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。

公开(公告)号：CN102432061A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110290760.7

申请日：2011-09-29

Applicant: 新疆大学

Inventor： 张川 ,  李锦 ,  李先卯 ,  王丰超 ,  牛红茹 ,  康进 ,  钱川 ,  孙言飞

IPC: C01G11/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种简易溶剂体系中制备Cd(OH)2和CdO六方纳米盘的方法，其特征在于通过以下两个步骤实现：第一步，溶剂热法制备Cd(OH)2棕红色粉末。首先，分别以Cd(CH3CH2COO)2、CdCl2、Cd(NO3)2、CdSO4为镉源与NaOH在水和乙二醇的混合溶液中充分反应；然后在干燥箱中一定温度(160℃、180℃、200℃)下反应4h得到棕红色溶液；在真空干燥箱里，60℃下烘干，得到Cd(OH)2棕红色粉末。第二步，220℃高温煅烧制备CdO白色粉末。将第一步制得的Cd(OH)2棕红色粉末放入烧杯中，放入干燥箱中，空气中加热至设定温度，保持若干小时；冷却至室温，去离子水反复超声清洗干净，烘干，得白色粉末样品。本发明的特点在于：工艺过程简单且不采用催化剂；产物为正六边形Cd(OH)2和CdO纳米盘，物相和形貌可控性好；产量大，成本低，对环境危害小，易于推广且适合工业大规模生产。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。