公开(公告)号：CN101693550A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910113485.4

申请日：2009-10-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  简基康 ,  杨林钰 ,  刘莉丽 ,  孙言飞 ,  郑毓峰

IPC: C01G11/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN101693550B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910113485.4

申请日：2009-10-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  简基康 ,  杨林钰 ,  刘莉丽 ,  孙言飞 ,  郑毓峰

IPC: C01G11/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。