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公开(公告)号：CN103274373A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310207534.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了Ge掺杂GaN室温铁磁性纳米粉体的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。采用直接氮化反应法制备了Ge掺杂GaN粉体。以高纯Ga2O3粉、高纯Ge粉或GeO2粉、NH3气分别作为Ga源、Ge源和N源。将Ga2O3粉和Ge粉或GeO2粉充分混合后置于水平管式炉加热区。将管式炉抽真空至9×10-3Pa，通入Ar气，并对管式炉进行加热。当管式炉加热区的温度达到1000-1100℃时，通入100-250sccm的NH3气并保温1-4h。关掉NH3气，自然冷却到室温，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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