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公开(公告)号：CN102633305A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210145655.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnMnS纳米线的制备方法，是通过以下工艺过程实现的：以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，其量为0.3g。用水合肼作溶剂，其量为40ml。以醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O作为锌源，以硫脲（NH2）2CS作为硫源，以MnCl2·4H2O为锰源，取锌、锰为一系列摩尔比19:1--1:2，取硫为定摩尔数(锌，锰和的4倍)依次加入溶有表面活性剂的水合肼中，然后将反应釜置于烘箱中，保持36h，反应温度为160℃-180℃；自然冷却至室温，先后在无水乙醇，去离子水反复清洗5次，置于60℃的真空干燥箱烘干并收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnMnS纳米线。本发明方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。
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