一种掺杂S的ZnTe的制备方法

    公开(公告)号:CN103991850A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410202392.X

    申请日:2014-05-14

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开一种掺杂S的ZnTe的制备方法,该方法包括,在乙醇胺溶剂中,亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃~200℃反应12~24小时,即得到掺杂S的ZnTe。本发明方法操作简单,对设备要求低,重复性好,一次产量高,成本低,所得掺杂S的ZnTe的分散性好,颗粒大小在50~100nm之间。

    一种掺杂S的ZnTe的制备方法

    公开(公告)号:CN103991850B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201410202392.X

    申请日:2014-05-14

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开一种掺杂S的ZnTe的制备方法,该方法包括,在乙醇胺溶剂中,亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃~200℃反应12~24小时,即得到掺杂S的ZnTe。本发明方法操作简单,对设备要求低,重复性好,一次产量高,成本低,所得掺杂S的ZnTe的分散性好,颗粒大小在50~100nm之间。

    一种溶剂热可控制备ZnMnS纳米线的方法

    公开(公告)号:CN102633305A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210145655.9

    申请日:2012-05-11

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnMnS纳米线的制备方法,是通过以下工艺过程实现的:以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,其量为0.3g。用水合肼作溶剂,其量为40ml。以醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O作为锌源,以硫脲(NH2)2CS作为硫源,以MnCl2·4H2O为锰源,取锌、锰为一系列摩尔比19:1--1:2,取硫为定摩尔数(锌,锰和的4倍)依次加入溶有表面活性剂的水合肼中,然后将反应釜置于烘箱中,保持36h,反应温度为160℃-180℃;自然冷却至室温,先后在无水乙醇,去离子水反复清洗5次,置于60℃的真空干燥箱烘干并收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnMnS纳米线。本发明方法简单,易于推广,适合于大规模的工业生产。

    一种掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN103991865A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410224140.7

    申请日:2014-05-26

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开一种采用混合溶剂法制备掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料的方法,其特征在于通过以下工艺实现:取适量氧化石墨烯配成石墨烯悬浮液;将ZnCl2加入氧化石墨烯悬浮液中,在温度60℃条件下充分搅拌,将Na2SeO3加入上述混合溶液,搅拌均匀;用水合肼、二已烯三胺和去离子水配制成一定体积比的混合溶剂,加入到混合溶液中搅拌均匀,转移到高压反应釜中,加热到 60℃~200℃反应24~96小时,即可到掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料。本发明方法操作简单,对设备要求低,重复性好,成本低。

Patent Agency Ranking