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公开(公告)号：CN104876279A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510250288.2
申请日：2015-05-18
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种制备Co掺杂BiFeO3的方法，属于材料制备技术领域。通过水热法制备Co掺杂的BiFeO3粉体，以分析纯级的Bi(NO3)3 ·5H2O，Fe(NO3)3·9H2O，Co(NO3)2·6H2O作为反应源，将称量好的药品溶解在15 ml的稀硝酸，磁力搅拌20 min，在透明溶液中逐滴滴入28wt%的氨水引起共沉淀，当pH值为10 ~ 11时清洗；然后，称量一定的KOH溶解在15 ml的去离子水中，搅拌10 min，将所得的KOH溶液倒入上述沉淀，连续搅拌1 h；最后，将制备好的前驱液移至反应釜中，在200℃下反应24 h，反应结束后，自然冷却至室温，所得样品用去离子水和无水乙醇反复清洗后将样品放入60℃的真空干燥箱中干燥，得到所需样品进行表征。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN101967681B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010532027.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米至1.2厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到7×10-3-8×10-3Pa，加热舟电流为120A-125A保持10分钟沉积，可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是：所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖，且制备方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN102912300A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210439190.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制，先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源，并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底，密闭蒸发炉，当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa～2.0×10-2Pa，加热电流达到130A，保持15分钟，即可得到SnS纳米片。本发明的特点是：所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102249299A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110140028.1
申请日：2011-05-27
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G23/047
Abstract: 本发明公开了一种NaCl熔盐体系中制备TiO2超长微米杆的方法，其特征在于通过以下工艺实现：取适量钛箔和氢氟酸(10wt％)，反应得到深绿色溶液；滴入适量的H2O2溶液(30wt％)得到棕红色溶液；然后加入一定量的NaCl、适量去离子水，超声，直到NaCl完全溶解；置于80℃真空干燥箱，烘干，得到白色粉末。将上述白色粉末放入陶瓷舟里，石英管式炉中，加热至设定温度，保持若干小时；冷却至室温，陶瓷舟内收集样品，去离子水超声清洗，烘干，得白色粉末样品。本发明的特点在于：工艺过程简单，无催化剂；产物物相和形貌可控性好；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广且适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN102249289A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110139993.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的S源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于180℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法，在乙醇胺体系中一步合成具有纤锌矿结构的ZnS细纳米棒。本发明的特点是：方法简单，容易操作；重复性好，产物的结构和形貌可控性好；成本低，利于纤锌矿ZnS细纳米棒的商业化。
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公开(公告)号：CN102154621A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010532892.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射，系统的本底真空度为10-4Pa-10-5Pa，溅射过程中工作气体为高纯的氮气和高纯氩气，氩气和氮气的比例为7∶3，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射功率为300W，基片为n型Si(100)，靶材与基片间的距离为60mm，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变镍片的数量得到不同掺杂浓度的AlN基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何的后续处理就可以得到室温铁磁性和高居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101693528A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910113486.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa，加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是：所得的硒化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN111644170A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010040052.7
申请日：2020-01-15
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了在可见光照射下具有优异光催化性能的棒状铈掺杂氧化锌与石墨烯复合材料光催化剂的制备方法与流程,属于材料制备技术领域，实验采用一步水热法依次合成了氧化锌、不同掺杂浓度的铈掺杂氧化锌与石墨烯复合材料光催化剂粉体，探究了最佳掺比浓度（掺铈质量比为2%）并对样品进行了测试与表征。本发明的特点是：光催化剂制备方法简单，高催化效率，成本低，产率高，无污染。
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