一种生长ZnSe单晶纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101693528B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200910113486.9

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa,加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是:所得的硒化锌单晶纳米线适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。

    一种生长CdO纳米线束的方法

    公开(公告)号:CN101693550A

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200910113485.4

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法,是通过以下工艺过程实现的:将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后,电阻加热舟通电流为110-180A,保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点;本发明的方法简单,易于推广,适合大规模的工业生产。

    一种生长ZnS单晶纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101514482A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200910113235.0

    申请日:2009-02-25

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发法生长单晶II-VI族半导体化合物ZnS单晶纳米线的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnS粉和金属Bi粉或Sn粉按摩尔比为1∶0.005-1∶0.057的比例均匀混合作为原料,置于钼片制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米-3.5厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉腔体达到2×10-2-7×10-3Pa,加热舟电流为120A-140A保持5-15分钟沉积。本发明制备出的硫化锌纳米线为单晶态的六方相结构的ZnS。本发明所得的硫化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点;本发明的方法简单,易于推广,适合大规模的工业生产。

    一种生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN101967681B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201010532027.7

    申请日:2010-11-04

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.06的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米至1.2厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到7×10-3-8×10-3Pa,加热舟电流为120A-125A保持10分钟沉积,可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是:所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖,且制备方法简单,易于推广。

    一种生长CdO纳米线束的方法

    公开(公告)号:CN101693550B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200910113485.4

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法,是通过以下工艺过程实现的:将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后,电阻加热舟通电流为110-180A,保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点;本发明的方法简单,易于推广,适合大规模的工业生产。

    一种制备CdS/ZnS纳米线异质结的方法

    公开(公告)号:CN102263036A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201110182882.4

    申请日:2011-07-01

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明属于纳米线异质结制备领域,是一种在催化剂辅助下用真空热蒸发法生长CdS纳米线,并在其径向包覆ZnS的方法。具体实施工艺如下:第一步,将CdS和Bi粉按1∶0.05mol的比例均匀混合作为原料,置于钼片制成的电阻加热舟中,舟上方1.0cm-2.0cm处放置衬底。蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa,加热电流为100A-120A,沉积时间为2min-10min,制备出CdS纳米线。第二步,以ZnS粉为原料,置于舟中,以CdS纳米线为衬底。将衬底置于舟上方1.0cm-2.0cm处,蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa,沉积电流为120A-140A,沉积时间为2min-10min,在CdS纳米线上包覆ZnS。最终得到CdS/ZnS纳米线径向异质结。本发明所得的CdS/ZnS纳米线异质结具有光学特性好、形貌均匀等特点;且方法简单,易于推广,适合大规模工业生产。

    一种生长ZnSe单晶纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101693528A

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200910113486.9

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa,加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是:所得的硒化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。

    一种生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN101967681A

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN201010532027.7

    申请日:2010-11-04

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.09的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方0.5厘米-1.5厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到3×10-2~6×10-3Pa,加热舟电流为120A-130A保持5-15分钟沉积,可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是:所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖,且制备方法简单,易于推广。

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