公开(公告)号：CN1701133A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000802.7

申请日：2004-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋治彦 ,  两角友一朗 ,  池川宽晃 ,  平山诚 ,  伊藤勇一

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。

公开(公告)号：CN103094077B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210421314.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN102634773B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210028975.6

申请日：2012-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  佐藤泉 ,  浅利伸二

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。与分别形成有用于向反应管内供给Zr系气体、O3气体等处理气体的气体喷射口的第1体喷射器及第2气体喷射器相对独立地形成第3气体喷射器，在该第3气体喷射器上，沿着反应管的长度方向形成有狭缝，在切换处理气体时，通过从该狭缝向反应管内供给吹扫气体而该置换反应管内的气氛气体。

公开(公告)号：CN102263027B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN102286731B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110168440.4

申请日：2011-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 和村有 ,  两角友一朗 ,  佐藤泉 ,  浅利伸二

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303

Abstract: 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。

公开(公告)号：CN102286731A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110168440.4

申请日：2011-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 和村有 ,  两角友一朗 ,  佐藤泉 ,  浅利伸二

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303

Abstract: 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。

公开(公告)号：CN100402696C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200480000802.7

申请日：2004-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋治彦 ,  两角友一朗 ,  池川宽晃 ,  平山诚 ,  伊藤勇一

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。