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公开(公告)号：CN116936470A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311189724.0
申请日：2023-09-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/768 , B44B5/02 , B44B5/00
Abstract: 本申请属于集成电路制备技术领域，公开了一种循环印刷式集成电路制备方法，包括步骤：把待制备的芯片电路分解为多个子电路，记为实际子电路；根据所述实际子电路匹配出对应的标准子电路；选用与各所述标准子电路对应的标准压印滚轮，依次在半导体晶圆表面的介电层上滚压出对应各所述标准子电路的子电路凹槽，以组成所述待制备的芯片电路的整体电路凹槽；所述标准压印滚轮的周面上设置有与对应标准子电路匹配的微纳凸起；在所述整体电路凹槽中填充金属，得到芯片电路；从而能够降低芯片电路制备成本并提高总体生产效率。
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公开(公告)号：CN115233089B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210529639.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114606471A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210337334.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，为多层膜结构，包括基底，以及在基底上依次制备的Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，所述保护层用于防止Bi掺杂的FeCoCr薄膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法和应用。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，通过控制Bi元素在FeCoCr薄膜中的掺杂量，可以对FeCrCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，使得薄膜的矫顽力由不掺杂Bi时的457Oe，提升为掺Bi之后的930Oe，矫顽力增幅达100％以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN114279481A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114279472A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111662880.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于增量式磁电编码器的信号处理方法及电路，涉及磁电编码器技术领域，使用基于各向异性磁电阻(Anisotropic magnetoresistance，AMR)技术的角位移传感器，使用IC‑TW28芯片来提高增量式磁电编码器的测量分辨率和输出精度。本发明有益效果：设计简单，使用的元器件较少，可实现编码器的高动态、高精度编码，同时，可消除外界杂散磁场及装配误差对采集精度的影响，同时可消除外界杂散磁场及装配误差对采集精度的影响，能够提高增量式磁电编码器的普遍适用性。
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公开(公告)号：CN113046709A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110205965.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
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公开(公告)号：CN119900002A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510392021.0
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于金属磁性薄膜材料技术领域，具体公开了一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器，该磁码盘材料中包括有双Au催化磁力层和Ta层，其中双Au催化FeCrCoMoTi磁力层包括有第一Au层、FeCrCoMoTi层和第二Au层；FeCrCoMoTi磁码盘材料还经过645℃‑655℃真空退火。本申请还提供了上述磁码盘材料的具体制备方法，以及包括上述磁码盘材料的磁编码器。本申请所提供的包括双Au催化FeCrCoMoTi磁力层的磁码盘材料，制备工艺简单，相较传统的FeCrCoMoTi薄膜，其矫顽力有明显增幅，且同时制备过程简单高效，成本较低。
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公开(公告)号：CN118888255B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411394036.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种CoFeB基磁性多层膜及其制备方法。本发明通过引入TiC层，TiC层可以有效地抑制Ta的扩散，使得Ta/CoFeB界面更加的平整，有利于获得垂直磁各向异性；TiC层可以有效在多层膜中引入C原子，引入C原子可以有效调控Fe和O之间的轨道杂化作用，进而可以有效通过C、O双离子的双层作用协同驱动多层膜的磁各向异性由面内向面外转化，即使得磁性多层膜获得垂直磁各向异性；本发明通过C、O双离子调控作用，增加材料调控的自由度，提高性能调控的幅度，从多角度出发，大大提高对薄膜垂直磁各向异性的调控，并且进一步提升了CoFeB基磁性多层膜的热稳定性。
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公开(公告)号：CN118534383A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410631120.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01R33/00 , H02K11/215 , G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件、磁传感器及其制备方法以及电机，该磁阻元件通过在每一磁阻结构设计两种延伸方向不同的第一磁阻条以及第二磁阻条，使之呈目标夹角设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与当前磁阻结构的第二磁阻条呈第一相位差设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与另一磁阻结构的第二磁阻条呈第二相位差设置；第一相位差与第二相位差具有倍数关系，以消除高次谐波，从而使得磁阻元件输出的高次谐波信号的有效值为零，从而实现消除高次谐波的目的。
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