公开(公告)号：CN103262250B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN103477441A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280019248.1

申请日：2012-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。

公开(公告)号：CN103403216A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010763.3

申请日：2012-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 楠见崇嗣 ,  神崎庸辅

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02365 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T156/1082

Abstract: 本发明的目的在于提供能够得到特性良好的膜的溅射靶。溅射靶(100)包括：包含IGZO的多个靶材(10)；包含Cu等的背板(20)；和包含In等的结合件(30)。多个靶材(10)和背板(20)通过结合件(30)接合。在各靶材(10)的表面设置有长度(L2)、宽度(W3)、深度(D1)的槽(40)。该槽(40)与相互相邻的靶材(10)彼此间的接缝(15)平行地设置在接缝(15)的附近(与接缝(15)相距距离(W2)的位置)。槽(40)的宽度(W3)和从接缝(15)到槽(40)的距离(W2)与靶材(10)的上下边的长度(L1)相比足够小。

公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。