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公开(公告)号：CN101393769A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201662.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN100439092C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610027440.1
申请日：2006-06-08
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明属于光学电子器件技术领域，具体为一种金属和非金属介质混合的多层薄膜结构的光热能量转换器件。利用多层膜光学振幅和位相匹配的原理，选择光学常数合适的金属和非金属介质薄膜材料和结构参数，在与太阳光谱相匹配的400-1000nm波长区，设计和制备的薄膜器件具有≥90%的光吸收率，实现高效率光热能量转换，是一种新型太阳能转换器件，具有无环境污染，工艺简单，低成本、易于取材等优点，可获得实际应用。
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公开(公告)号：CN1868734A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610027440.1
申请日：2006-06-08
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明属于光学电子器件技术领域，具体为一种金属和非金属介质混合的多层薄膜结构的光热能量转换器件。利用多层膜光学振幅和位相匹配的原理，选择光学常数合适的金属和非金属介质薄膜材料和结构参数，在与太阳光谱相匹配的400－1000nm波长区，设计和制备的薄膜器件具有≥90％的光吸收率，实现高效率光热能量转换，是一种新型太阳能转换器件，具有无环境污染，工艺简单，低成本、易于取材等优点，可获得实际应用。
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公开(公告)号：CN109543831B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201811391904.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器交叉阵列分压等效扩展阻态数目的结构及相关方法，其中交叉阵列包括横线、纵线、忆阻器，分压控制装置的每个分压控制单元包括正常电压信号输入端、分压电压信号输入端、选通器、正常电压信号输出端、分压电压信号输出端。每个分压控制单元的分压电压信号输入端与其上一级单元的分压电压信号输出端连接，正常电压信号输出端与交叉阵列的横线连接，选通器决定通向交叉阵列的信号是本征电压信号还是分压电压信号，通过被逐级分压的电压信号实现阻态的等效扩展。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求、阻态扩展效率较高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993528A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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公开(公告)号：CN109887921A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910041823.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11563
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法。本发明利用围栅结构替代传统存储器的单栅结构，通过增强器件的栅控能力，得到窗口更大、保持时间更长的非易失性存储器。本发明制备过程包括：先在衬底上利用电子束蒸发、原子层沉积、机械剥离及化学气相沉积等方法依次获得依次金属栅极、介质层、电荷俘获层、隧穿层及沟道材料，然后利用上述相同方法以相反的顺序获得围栅结构。本发明可以制备具有较大存储窗口以及较长保持时间的新型存储器，极大的增强栅极电压对器件的控制能力，可在未来存储器领域被广泛应用。
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公开(公告)号：CN109543831A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811391904.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器交叉阵列分压等效扩展阻态数目的结构及相关方法，其中交叉阵列包括横线、纵线、忆阻器，分压控制装置的每个分压控制单元包括正常电压信号输入端、分压电压信号输入端、选通器、正常电压信号输出端、分压电压信号输出端。每个分压控制单元的分压电压信号输入端与其上一级单元的分压电压信号输出端连接，正常电压信号输出端与交叉阵列的横线连接，选通器决定通向交叉阵列的信号是本征电压信号还是分压电压信号，通过被逐级分压的电压信号实现阻态的等效扩展。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求、阻态扩展效率较高的特点。
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公开(公告)号：CN109542391A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811329873.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G06F7/4833 , G06F21/72
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器的存储器内计算架构。本发明的基于忆阻器的存储器内计算架构包括忆阻器阵列和辅助电路；忆阻器阵列是一个交叉阵列，由若干水平方向的互连线和若干竖直方向的互连线互相交叉构成，每个交叉处有一个忆阻器单元；忆阻器阵列实现存储内计算时，动态划分为存储区和计算区；计算区用于实现与、或、非、与非、或非、异或这些逻辑运算；计算区的运算结果保存在存储区；辅助电路用于进行除与、或、非、与非、或非、异或等逻辑运算之外的复杂运算包括数据处理、加密运算等。本发明可用于物联网终端架构中替代传统的物联网终端架构中的SRAM和Flash模块。本发明有利于改善物联网终端的低功耗和信息安全特性。
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公开(公告)号：CN108666314A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810310576.6
申请日：2018-04-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明属于微纳电子技术领域，具体为基于二维材料可调控PN结的准非易失性存储器及其制备方法。其包括：在绝缘衬底上的一层二维材料作为电荷俘获层，在俘获层上面转移的另外两类二维材料，分别作为PN结的N区和闪存的隧穿层，在顶部堆叠的一类二维材料，作为PN结的P区和闪存的沟道层。本发明通过能带设计使得器件能在纳秒级别进行写入以及可控的电荷保持时间；通过施加栅压控制PN结的开启以及关闭，使得器件在PN结开启时能够进行超快写入；通过改变构成PN结两种材料的厚度和类型以及PN结面积与绝缘层面积比值，可以得到一类保持时间可调控的超快准非易失性新型存储器件。本发明制备工艺简单，通过CVD生长的材料可以大规模制备。
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