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公开(公告)号：CN109709192B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201811530398.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/407 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钨/氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用一种较为简便的、可大批量合成的溶剂热法制备氧化钨核层纳米片，结合原子层沉积技术合成氧化锡层，得到了氧化钨/氧化锡核壳结构纳米片。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可大规模化生产等优点。本发明构建的基于n‑n异质结的核壳结构材料结合微机电系统，作为气体传感器时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间大幅缩减，并且可在复杂环境中对氨气（NH3）气体具有优异的选择性，可为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN114078966A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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公开(公告)号：CN114062168A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111219431.3
申请日：2021-10-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷的柔性可拉伸硬度传感器及其制备方法。其整体为薄膜结构，包括从下至上紧密结合的下层PDMS粘贴层、应变传感层和压力传感层。下层PDMS粘贴层具有一定粘性；应变传感层基于纳米银线/碳纳米管/PDMS复合材料，压力传感层从下至上包括下部电极层、压阻材料层和上部电极层，压阻材料层为具有孔洞结构的微米银片/碳纳米管/PDMS复合材料。本发明通过将硬度传感器粘贴在被测物体上对其按压进行硬度评估，硬度传感器的输出为压力传感层的输出与应变传感层的输出之间的比值。本发明具有结构简单、灵敏度高、成本低、信号易读出和应用广泛的优点。
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公开(公告)号：CN111834467B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910322519.4
申请日：2019-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极，该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域，包括以下步骤：将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上，然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶；在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口；在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni；将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间；在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极，从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率，优异的热稳定性，在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113675100A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110793104.2
申请日：2021-07-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种带有光学传感器的选择性封装SiP模组及其制备方法。本发明提出了选择性封装的封装方案，其中挡墙的设计可以在模组任意位置实现选择性塑封，提供了具有特定功能模组的定制化封装方案；此外，本发明的先安装光学传感器再制备挡墙的模组制备方案可以使封装整体体积达到最小，挡墙高度可任意调节来匹配封装整体厚度，并且不会影响已封装好的光学传感器，有利于实现器件的微型化。本发明能够应用于智能手机、人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网、可穿戴电子设备以及遥控遥测光学传感器等新兴领域，符合当今电子产品微型化的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675093A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110793016.2
申请日：2021-07-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种双面塑封的散热结构的封装设计及制备方法。本发明的双面塑封封装结构简单，底面常规塑封，而在基板上表面加装金属铜柱，并使芯片裸露，同时在芯片上表面增加翅片散热器结构，加快散热，使得基板底面的热量尽量都从上表面散走。相比于现有技术，本发明的双面封装方案采用翅片散热结构，在不增加芯片封装面积的情况下有效增加了散热面积，解决了芯片封装的散热问题，有利于实现器件的微型化。本发明能够应用于智能手机、人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网、可穿戴电子设备等新兴领域，符合当今电子产品微型化的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场，提高产品的散热性能，大大提高产品的可靠性，具有更广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN113541451A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010319721.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。
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公开(公告)号：CN111048584B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911334848.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L23/64 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。
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公开(公告)号：CN110501095B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910664135.0
申请日：2019-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于荷叶微棘突/MXene复合结构的仿生柔性压力传感器。该传感器包括：压力感知层——带有荷叶表面微棘突结构的聚二甲基硅氧烷（PDMS）；压力处理层——多层Ti2C‑MXene薄膜；信号输出层——柔性电极，用于支撑保护Ti2C‑MXene薄膜及输出压力信号转化的电信号。本发明的基于荷叶微棘突/MXene复合结构的仿生柔性压力传感器无需进行复杂的结构设计和制作工艺就能兼具高灵敏度、宽线性度、低响应时间、高稳定性等优良特性。
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公开(公告)号：CN111048584A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911334848.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L23/64 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P-氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P-GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I-V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。
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