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公开(公告)号：CN113394230A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110665815.1
申请日：2021-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11587 , H01L27/1159 , H01L27/11592 , H01L27/11597
Abstract: 在本发明实施例中，一种存储器器件包括多层堆叠。多层堆叠设置在衬底上且包括交替堆叠的多条第一导电线及多个介电层，其中所述多条第一导电线中的每一者具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。存储器器件还包括横越在所述多条第一导电线之上的多条第二导电线，其中随着所述多条第二导电线远离第一侧，所述多条第二导电线的宽度增大。
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公开(公告)号：CN113380825A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110516834.8
申请日：2021-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕俊颉 , 杨世海 , 林佑明 , 马礼修 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯
IPC: H01L27/11587 , H01L27/1159 , H01L27/11592 , H01L27/11597
Abstract: 一种铁电存储器器件包括多层堆叠件、沟道层和基于III‑V的铁电层。该多层堆叠件布置在衬底上并包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层。该沟道层穿透多层堆叠件的多个导电层和多个介电层。该基于III‑V的铁电层布置在沟道层与多层堆叠件之间，并包括选自III族元素的至少一种元素、选自V族元素的至少一种元素和选自过渡金属元素的至少一种元素。本发明的实施例还公开了形成铁电存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN113299830A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110564957.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/11507
Abstract: 实施例包含制造具有多个金属接触件的金属‑铁电金属电容器的结构和方法。实施例可包含：第一金属条带，设置在衬底上且在第一方向上延伸；铁电毯覆层，设置在第一金属条带上；第二金属条带，设置在铁电毯覆层上且在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及多个金属接触件，设置在第一金属条带与第二金属条带之间且位于第一金属条带与第二金属条带的相交区内。
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公开(公告)号：CN113284898A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110124261.4
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 半导体器件包括半导体衬底，并且金属栅极对从半导体衬底向上延伸。第一沟道区域和第二沟道区域设置在金属栅极对的内侧壁之间。第一漏极区域和第二漏极区域分别设置在金属栅极对的内侧壁之间，并且分别设置在第一沟道区域和第二沟道区域正上方。第一源极区域和第二源极区域分别设置在第一沟道区域和第二沟道区域正下方的金属栅极对的内侧壁之间。电容器介电结构设置在第一源极区域和第二源极区域下方。底部电容器电极设置在电容器电介质下方。电容器介电结构将第一漏极区域和第二漏极区域与底部电容器电极分隔开。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113140588A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110166059.8
申请日：2021-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及存储器件。在一些实施例中，该存储器件包括衬底和互连结构，设置在该衬底上方。该互连结构包括堆叠的互连金属层，设置在堆叠的层间介电(ILD)层内。存储器单元设置在上部互连金属层与中间互连金属层之间。选择晶体管连接至该存储器单元，并设置在该中间互连金属层与下部互连金属层之间。通过将该选择晶体管置于两个互连金属层之间的后端互连结构内，节省了前端空间，并且提供了更大的集成灵活性。在一些实施例中，本发明还涉及制造存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN113497155B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110694898.7
申请日：2021-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 薄膜晶体管及其形成方法，薄膜晶体管包括：衬底；字线，设置在衬底上；半导体层，设置在衬底上，半导体层具有源极区域、漏极区域和沟道区域，该沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间并且在垂直于衬底的平面的垂直方向上与字线重叠；氢扩散阻挡层，在垂直方向上与沟道区域重叠；栅极介电层，设置在沟道区域和字线之间；以及源电极和漏电极，分别电耦接至源极区域和漏极区域。
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公开(公告)号：CN113540344B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110727994.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 布兰丁·迪里耶 , 马礼修
Abstract: 提供了一种存储器器件，其可以包括第一电极、包括至少一个半导体金属氧化物层和至少一个含氢金属层的存储器层堆叠、以及第二电极。提供一种半导体器件，其可包括含有源极区、漏极区和沟道区的半导体金属氧化物层，位于沟道区表面的含氢金属层，以及位于沟道区上的栅电极。含氢金属层。每个含氢金属层可以包括至少90％的原子百分比的选自铂、铱、锇和钌的至少一种金属，并且可以包括0.001％至10％的原子百分比的氢原子％。氢原子可以可逆地浸入相应的半导体金属氧化物层中以改变电阻率并编码存储位。本发明的实施例还涉及半导体器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN113140588B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110166059.8
申请日：2021-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及存储器件。在一些实施例中，该存储器件包括衬底和互连结构，设置在该衬底上方。该互连结构包括堆叠的互连金属层，设置在堆叠的层间介电(ILD)层内。存储器单元设置在上部互连金属层与中间互连金属层之间。选择晶体管连接至该存储器单元，并设置在该中间互连金属层与下部互连金属层之间。通过将该选择晶体管置于两个互连金属层之间的后端互连结构内，节省了前端空间，并且提供了更大的集成灵活性。在一些实施例中，本发明还涉及制造存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN113497152B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110692352.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/34 , H01L23/528 , H01L21/768 , H10B51/40 , H10B53/40 , H10B61/00 , H10B63/00
Abstract: 一种场效应晶体管及其制造方法。该等场效应晶体管包括处于沟道层中的有源区对、位于该对有源区之间的沟道区以及位于该对有源区的表面上的自对准钝化层。
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