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公开(公告)号：CN110156064A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910369714.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 南开大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明提供一种低晶面指数Cu2O多面体颗粒的制备方法，该方法可以通过调节铜源的种类、加入碱溶液的量和反应时间来对Cu2O多面体形貌进行准确调控，制备出物相均匀、纯度高、单分散、低晶面指数暴露的Cu2O多面体颗粒；该方法操作步骤少，设备简单，工艺简便，制备所需的原料种类少，降低生产成本，减少环境污染；本发明原理可靠，不需要添加任何表面活性剂，避免表面活性剂残留在某些表面而改变催化反应时的活性中心，便于对Cu2O复合其它材料时的机理进行解释。
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公开(公告)号：CN106902852A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710152621.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 南开大学
IPC: B01J27/138 , C02F1/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/138 , B01J35/004 , C02F1/30 , C02F2305/10
Abstract: 本发明提供一种ZnFe2O4/AgBr/Ag复合光催化剂及其制备方法。该催化剂在制备过程中采用水热与光还原相结合的方法，该方法灵活简便、成本低。通过以ZnFe2O4纳米颗粒作为AgBr/Ag的载体，在提高复合光催化剂催化效率的同时，还能够提高光催化剂的光稳定性，克服了现有技术中一直难于解决的ZnFe2O4光催化性能较差及含AgBr的光催化剂稳定性较差的缺点。
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公开(公告)号：CN103990795B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410242512.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种Ni-Ni2O3纳米复合材料，特别是一种铁磁性的Ni-Ni2O3纳米复合材料及水热一步合成该材料的方法。其中Ni为纳米线形态，而Ni2O3为颗粒，通过二者的共同作用，使得材料在光学、光催化、磁性等方面的性能大幅提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103302288A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310222260.9
申请日：2013-06-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种绒毛状的Fe@α-Fe2O3核/壳结构纳米线及其制备方法，该方法先制备Fe纳米线，然后在所制备的Fe纳米线表面通过退火的方法包覆一层绒毛状的α-Fe2O3，形成新型的绒毛状的Fe@α-Fe2O3核/壳结构纳米线。该纳米线的Fe核的直径在30-250nm，表面α-Fe2O3绒毛层的厚度在30-200nm，纳米线的长度大于1μm。该方法制备的绒毛状的Fe@α-Fe2O3的核/壳结构纳米线有利于增加材料的比表面积，从而提高材料的吸附效率和光吸收效率等性能，在在光学、催化、材料、能源、传感器、电子信息、生物医药、环境科学等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN100401433C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN100349308C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510122238.2
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为FexGe1-x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在-250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1331975C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510122236.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁—锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到-250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1805081A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为－29.3％，室温磁电阻数值大于－10％。本发明制备的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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