公开(公告)号：CN104009152B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410242513.3

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅 ,  王卫超 ,  王维华 ,  卢峰

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN104009153A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410242631.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN105742654B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610168765.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 王卫超 ,  刘洁宇 ,  于勐 ,  刘孟寅 ,  杨志 ,  王长洪

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M4/96

Abstract: 一种用于空气电池或燃料电池阴极的混合相莫来石型电催化剂，将混合相莫来石材料应用为空气电池或燃料电池阴极催化剂，实现本专利发明目的的必要技术特征在于混合相莫来石电催化剂的制备，该混合相氧化物包括莫来石相，尖晶石相和萤石相。将其制作于空气电池或燃料电池阴极催化层，证实其有可以与铂金相媲美的催化性能。而且此种催化剂在中性环境下仍然具有较好的催化性能与较低的过电势。本发明的特征一在于首次发现混合相莫来石可以用做空气电池或燃料电池的阴极催化剂，特征二在于催化层的制备方法。

公开(公告)号：CN105742654A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610168765.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 王卫超 ,  刘洁宇 ,  于勐 ,  刘孟寅 ,  杨志 ,  王长洪

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M4/96

CPC classification number: H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M4/96

Abstract: 一种用于空气电池阴极的混合相莫来石电催化剂及催化层的制备方法，其特征在于将混合相莫来石材料应用为燃料电池阴极催化剂，实现本专利发明目的的必要技术特征在于混合相莫来石电催化剂的制备，该混合相氧化物包括莫来石相，尖晶石相和萤石相。将其制作于燃料电池阴极催化层，证实其有可以与铂金相媲美的催化性能。而且此种催化剂在中性环境下仍然具有较好的催化性能与较低的过电势。本发明的特征一在于首次发现混合相莫来石可以用做燃料电池的阴极催化剂，特征二在于催化层的制备方法。

公开(公告)号：CN104009152A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410242513.3

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅 ,  王卫超 ,  王维华 ,  卢峰

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN104009153B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410242631.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN104923261A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510246053.6

申请日：2015-05-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 王卫超 ,  刘晖 ,  董红 ,  解新建 ,  刘孟寅

IPC: B01J27/04 ,  C01B3/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02E60/364 ,  Y02W10/37

Abstract: 本发明提供一种延长CdS纳米光催化剂寿命的方法，该方法的特征在于采用原子层沉积技术在水热合成的CdS纳米颗粒表面沉积了一层1-10A的保护层(TiO2、ZnO、Al2O3、AZO等)。在保证较高催化效率的前提下，有效的减少光腐蚀的发生，将CdS纳米颗粒的光催化寿命从1小时延长到18个小时以上。该制备方法有效的减少了光腐蚀对CdS纳米粒子的破坏，延长了CdS纳米粒子的催化寿命。