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公开(公告)号：CN109179389A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811334451.3
申请日：2018-11-09
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具，用于放置在CVD设备的石英管内。载具包括底座、矩形底板以及多个矩形托板。矩形底板水平地设置在底座上方，且固定连接于底座；多个矩形托板用于承载石墨烯生长衬底，每一矩形托板上表面的四周设置有多个支撑体，石墨烯生长衬底容纳于多个支撑体围成的空间，多个矩形托板可层叠地放置在矩形底板上，相邻两个矩形托板之间用支撑体隔开。
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公开(公告)号：CN118461125A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310141951.X
申请日：2023-02-08
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法。通过在石墨烯生长晶圆衬底表面增加遮盖物晶圆，构筑限域反应体系，实现石墨烯表面气相反应以及伴生双层结构的有效抑制，可以实现高单层率石墨烯单晶晶圆的可控制备。本发明将为石墨烯晶圆材料的品质提升提供技术支持，有助于推动石墨烯晶圆材料未来在电子与光电子器件的应用进展。
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公开(公告)号：CN109534326B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
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公开(公告)号：CN111847432A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010725305.4
申请日：2020-07-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110438556B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110904502A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911286235.0
申请日：2019-12-13
Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法，通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯，并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点，通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法，破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上，显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性，进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。
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公开(公告)号：CN110438556A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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公开(公告)号：CN108821273A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN114572970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
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