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公开(公告)号：CN119956335A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410382521.1
申请日：2024-03-29
Applicant: 苏州大学 , 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备大尺寸高质量石墨烯晶圆的装置及方法。该装置包括石英管、加热组件、晶圆载具，加热组件采用中频线圈与石墨筒发热体配合，石墨筒发热体位于石英管内部，中频线圈位于石英管外部，与石墨筒发热体平齐，用于感应加热石墨筒发热体；晶圆载具上设置有若干限位部件，用于限定多片所述晶圆的位置。
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公开(公告)号：CN119351993A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411463808.3
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 苏州大学 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本公开涉及化学气相沉积制备技术领域，尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片，线圈组件包括线圈和供电装置，线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面，供电装置用于向线圈供电，以使腔室内产生磁场；石墨盘用于安装于腔室内，石墨盘能够产生热量；导热垫片位于石墨盘上，与石墨盘同轴设置，导热垫片的直径小于石墨盘的直径；导热垫片用于承托晶圆，晶圆的直径大于导热垫片的直径，晶圆包括第一区域和第二区域，第一区域能够与导热垫片直接接触，第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式，提高了晶圆温度分布的均匀性，有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。
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公开(公告)号：CN110904502A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911286235.0
申请日：2019-12-13
Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法，通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯，并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点，通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法，破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上，显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性，进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。
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公开(公告)号：CN112442729A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN114956062A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213872.6
申请日：2021-02-25
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112442729B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN116791199A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210247183.1
申请日：2022-03-14
Abstract: 本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
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公开(公告)号：CN119640236A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411893069.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/26 , C23C16/54
Abstract: 本发明涉及一种用于气相沉积生长石墨烯晶圆的载具、上料机构及气相沉积装置，其中，载具包括：至少两组承载单元，所述承载单元沿碳源气体的气流方向依次排列；限位组件，位于所述承载单元上，用于实现晶圆的限位，所述限位组件被配置为使得晶圆所处平面与碳源气体的气流方向平行，同时使得相邻两组所述承载单元上的晶圆在与晶圆平面垂直的方向上呈错位排列。本发明有利于气流场及温度场均匀性，能够实现批量化、均匀性制备。
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公开(公告)号：CN116994997A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311013788.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及二维材料制备技术领域，公开一种二维材料转移装置及其转移方法。该二维材料转移装置包括承载单元、滚压单元和承载膜料带夹持运动单元，承载单元上设置有能够承载生长基材或者目标基材的承载位；滚压单元包括可沿竖直方向升降的滚压滚筒，承载膜料带能从承载单元和滚压滚筒之间通过，承载单元和滚压单元能相对运动，从而实现二维材料在生长基材和承载膜料带之间以及承载膜料带和目标基材之间的转移；承载膜料带夹持运动单元能夹持承载膜料带并带动其移动，以从生长基材上撕除承载膜料带或者将承载膜料带上的二维材料移动至目标基材上。所述二维材料转移装置可以实现二维材料的自动化转移，转移效率较高，重复性好，且能实现量产。
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公开(公告)号：CN116200732A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310215853.6
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种开放式卷对卷化学气相沉积系统，包括反应装置、反应气体装置、至少四个抽气装置、至少两个保护气体装置、至少一个左狭缝法兰、至少一个右狭缝法兰、放卷装置以及收卷装置。反应装置包括反应腔室，反应气体装置、至少四个抽气装置和至少两个保护气体装置均与反应腔室连通，左狭缝法兰设置与反应腔室的左侧，右狭缝法兰设置于反应腔室的右侧。本申请的开放式卷对卷化学气相沉积系统，反应腔室内的压力小于1000Pa，可以实现在不开启反应腔室的情况下更换卷材，并可以实时对产品进行在线或者离线监测。
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