公开(公告)号：CN111847432B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010725305.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  丁庆杰 ,  赵振勇 ,  梁宇 ,  王悦晨 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN111847432A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010725305.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  丁庆杰 ,  赵振勇 ,  梁宇 ,  王悦晨 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN110904502A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911286235.0

申请日：2019-12-13

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  刘海洋 ,  王悦晨 ,  蔡阿利 ,  丁庆杰 ,  赵振勇

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/14

Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法，通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯，并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点，通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法，破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上，显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性，进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。