公开(公告)号：CN111847432B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010725305.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  丁庆杰 ,  赵振勇 ,  梁宇 ,  王悦晨 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN111575757A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010450576.3

申请日：2020-05-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  梁宇 ,  李杨立志 ,  孙禄钊 ,  刘海洋 ,  陈步航

IPC: C25D7/06 ,  C25D5/34 ,  C25D5/50 ,  C25D3/12 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  B01J23/755

Abstract: 本发明提供一种铜镍合金及其制备方法和应用，以及二维材料生长衬底，该铜镍合金的制备方法包括：对铜箔进行预退火处理；预退火处理后的铜箔经镀镍处理得到铜镍复合箔；及铜镍复合箔经退火合金化处理，得到铜镍合金。本发明通过对铜箔进行预退火处理，可有效解决铜镍原子在退火合金化过程当中因应力释放导致的箔材卷曲、表面粗糙化的问题，得到表面平整度Ra＜150nm的铜镍合金。该铜镍合金可作为衬底生长二维材料，例如石墨烯，有效提高石墨烯质量，降低石墨烯转移破损率。本发明的制备方法工艺简单、成本低，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。

公开(公告)号：CN111847432A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010725305.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈步航 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  丁庆杰 ,  赵振勇 ,  梁宇 ,  王悦晨 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN212247201U

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202020788756.8

申请日：2020-05-13

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  李杨立志 ,  刘海洋 ,  孙禄钊 ,  王悦晨 ,  陈步航 ,  梁宇

IPC: C23C16/455

Abstract: 本实用新型提出一种化学气相沉积系统及其局域供气装置，局域供气装置设置于化学气相沉积系统的腔室上。其中，局域供气装置包含转向管、腔内连接组件、供气终端管路、腔外连接组件以及腔外气体管路。转向管穿设于腔室并具有转向结构、内管口和外管口，内管口和外管口分别位于腔室的内部和外部。腔内连接组件设置于内管口。供气终端管路设置于腔室的内部并通过腔内连接组件连接于内管口。腔外连接组件设置于外管口。腔外气体管路设置于腔室的外部并通过腔外连接组件连接于外管口。本实用新型利用可以在不影响正常全局供气构造的同时，在腔室中实现局域供气功能。