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公开(公告)号：CN111443073B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN111326641B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010127541.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/13 , H05B33/02
Abstract: 本发明公开了一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法。本发明采用紫光与天蓝光混合得到蓝光的视觉效果，同时消除蓝光成分，有效地降低白光发光二极管的蓝光危害，减少其对人眼视网膜的损伤，提高光生物安全性；在CIE1931色品图上三顶点附近获得绿光、红光的可能区域，同时增加黄光的成分，以得到混合光源较高的显色性；利用本发明，在降低蓝光危害的同时，白光光源具有良好的显色性，能够提供更好的视觉舒适度；能够得到色温可调的动态白光，从而不同的色温对应不同的适应范围；本发明具有低蓝光危害、高显色性、色温可调等优点。
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公开(公告)号：CN111443073A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN109994377A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910236361.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)对蓝宝石衬底进行氮化预处理；(2)对在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜进行高温退火处理。本发明首次提出对蓝宝石衬底进行氮化预处理的构想，采用这一工序可使衬底表面形成特殊的微观结构，同时配合高温退火技术的使用，不仅使所得的AlN外延薄膜的位错密度得到有效降低，而且改善了AlN薄膜的应力状态，使其从张应力状态转变为压应力状态，解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN外延薄膜。本发明提供的AlN外延薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。
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公开(公告)号：CN109920887A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179543.7
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904285A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910179765.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN104347356B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410455805.5
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN103834999B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410090016.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用把预制裂纹、MOCVD、HVPE和应力控制自分离等技术融合在一起，对异质衬底的边缘进行处理，然后优化MOCVD生长工艺，与具体的预制裂纹法相配合，在GaN/异质衬底的界面的边缘处引入缝隙作为预制裂纹；通过应力控制技术实现平面内应力从边缘到中心的梯度变化；在一定梯度应力作用下，GaN与异质衬底完全自分离，从而获得大尺寸完整的GaN单晶衬底。本发明获得自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高。本发明实现了原位的GaN与异质衬底的自分离，不需要另外的复杂的激光剥离或沉积金属牺牲层等设备技术，工艺简单，易于控制，极大地提高了本发明的实用性。
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公开(公告)号：CN105047788A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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公开(公告)号：CN104651904A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048337.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。
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