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公开(公告)号：CN117883902A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410105550.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B01D46/24 , B01D46/681 , B01D46/58
Abstract: 本发明公开一种气动自清洁过滤罐，包括外罐体、套设于所述外罐体的内罐体、安装于所述外罐体和内罐体之间的气动刮板装置及与所述气动刮板装置联动的匀流孔刮板装置、及设置于所述内罐体的过滤组件；所述外罐体上设有正向气动喷口和反向气动喷口，所述正向气动喷口和反向气动喷口通过喷气驱动气动刮板装置进行上下往复运动。本发明通过设置气体驱动方式驱动自清洁构件对过滤罐内部进行清洁，减少了外部构件安装；内置的清洁机构保证了过滤罐本身真空度不被破坏；驱动气体对尾气进行了扰动与降温，使尾气更好的进行冷却沉淀与均匀分散，提高整体滤芯的使用效率。
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公开(公告)号：CN114737250B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
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公开(公告)号：CN116121845A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211704586.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种气体驱动的可自动升降搅拌装置，该装置包括壳体、升降杆、转轴、涡轮、活塞。其中，壳体的最上部是压力腔，压缩气体可通过气路进入压力腔控制升降杆的升降，涡轮安装固定在转轴上，涡轮上下通过转轴各配置一个活塞，转轴顶部与升降杆下部连接同一活塞。涡轮处设计有进气口与出气口，压缩气体可进入推动涡轮旋转。本发明装置同时设有升降与搅拌的双重功能，且都是压缩气体驱动，既解决了电力驱动搅拌装置容易短路、易腐蚀、难以适应高温高压环境的问题，又可以通过升降装置实现反应溶液的间断性搅拌。引入压缩气体作为驱动动力，不仅降低了升降旋转装置的加工制造成本，而且增加了设备的安全运行性。
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公开(公告)号：CN114318524A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111629561.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法，该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块，托盘与支撑杆均安装于加热炉内，托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆，支撑杆连接托盘，支撑杆用于驱动托盘转动；温度传感器安装于托盘上，引线的一端连接温度传感器，另一端连接温度控制模块，引线穿设支撑杆，并用粘接剂密封；工作时，生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度，且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温，测温和控温精确，确保调控晶圆外延生长的均匀性，实现大尺寸晶圆生长的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN112289760A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011163916.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3205
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底及制备方法，该衬底的一表面制有凹坑阵列，凹坑阵列内生长有复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；具体制备方法为：在衬底的一表面上进行图形化处理，以形成延伸进衬底内部的凹坑阵列；在衬底的凹坑阵列一面生长出一层复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；对衬底背向凹坑阵列的一面进行减薄。本发明解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
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公开(公告)号：CN111430245A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019641.4
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板的金属化方法，包括如下步骤：首先，根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案；然后，在经过图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层和加厚金属层；之后，将陶瓷基板表面的非线路图案部分的金属层除去，以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路，进行表面处理后，最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板；本发明通过预先在陶瓷基板上制备预设深度和宽度的线路图案，将线路图案深入到陶瓷基板内部，可高精度控制金属化过程中的导电金属线路的宽度与厚度，从而得到高精细化导电金属线路，同时，本发明的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内也提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN105274496A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410270321.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，其特征是，MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果，尤其在GaN-On-Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求，利用突变式冲击气流，使得SiNx掩膜层更为零散随机，从而实现更好的位错阻隔功能层的效果，也能很好地释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN104862781A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液，C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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