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公开(公告)号：CN102828239A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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公开(公告)号：CN103834999A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410090016.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用把预制裂纹、MOCVD、HVPE和应力控制自分离等技术融合在一起，对异质衬底的边缘进行处理，然后优化MOCVD生长工艺，与具体的预制裂纹法相配合，在GaN/异质衬底的界面的边缘处引入缝隙作为预制裂纹；通过应力控制技术实现平面内应力从边缘到中心的梯度变化；在一定梯度应力作用下，GaN与异质衬底完全自分离，从而获得大尺寸完整的GaN单晶衬底。本发明获得自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高。本发明实现了原位的GaN与异质衬底的自分离，不需要另外的复杂的激光剥离或沉积金属牺牲层等设备技术，工艺简单，易于控制，极大地提高了本发明的实用性。
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公开(公告)号：CN103834999B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410090016.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用把预制裂纹、MOCVD、HVPE和应力控制自分离等技术融合在一起，对异质衬底的边缘进行处理，然后优化MOCVD生长工艺，与具体的预制裂纹法相配合，在GaN/异质衬底的界面的边缘处引入缝隙作为预制裂纹；通过应力控制技术实现平面内应力从边缘到中心的梯度变化；在一定梯度应力作用下，GaN与异质衬底完全自分离，从而获得大尺寸完整的GaN单晶衬底。本发明获得自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高。本发明实现了原位的GaN与异质衬底的自分离，不需要另外的复杂的激光剥离或沉积金属牺牲层等设备技术，工艺简单，易于控制，极大地提高了本发明的实用性。
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公开(公告)号：CN102828239B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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