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公开(公告)号：CN1110860C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN95120983.3
申请日：1995-11-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。
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公开(公告)号：CN1389930A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN01122638.2
申请日：1995-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电装置,该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线,该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上。在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。
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公开(公告)号：CN1072737C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN96119282.8
申请日：1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种刻蚀方法，包括：将待要刻蚀的物体浸入电解液作为负电极；设置具有相应图形的相对电极，与该物体维持预定间隔；在该物体和相对电极之间施加直流或脉冲电流，从而将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。
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公开(公告)号：CN1241039A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99111117.6
申请日：1999-06-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了低阴影、高能量转换效率、高尺寸自由度、和长时间使用时高可靠性的光伏元件,该光伏元件包括:具有产生光电动势的第一半导体结层的光伏层32;提供在光伏层的光入射一侧的电流收集电极34;并联的旁路二极管,其中旁路二极管形成在电流收集电极下面,旁路二极管层38具有区别于光伏层的第一半导体结层的第二半导体结层。
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公开(公告)号：CN1224933A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98126450.6
申请日：1998-12-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67075
Abstract: 本发明提供一种光电元件的制造方法,包括以下步骤:把至少具有形成在衬底上的第一电极层、半导体层和第二电极层的光电元件浸渍入电解液中,在电场的作用下去除由光电元件中的缺陷引起的短路电流通路,其特征在于,调节电解液中的第一成分含量和第二成分含量,控制电解液中的氢离子浓度,其中第二电极层的构成物质被第一成分电溶解,从而还提供一种光电元件的制造方法,能够减少存在于具有大面积的光电元件中的例如针孔的缺陷部位引起的漏电流,以便获得在低照度下具有优异光电发生性能的光电元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1191903A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN97125444.3
申请日：1997-12-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C25F3/12 , C25F7/00 , H01L31/1884 , Y02E10/548
Abstract: 一种电极结构,包括第一电极,和提供有一对对置部分的至少一个第二电极,对置的部分之间具有预定间距,第一电极置于其中。电极结构适合用于电解腐蚀,能用效地提供不会损坏待腐蚀物的表面的精确腐蚀图形。
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公开(公告)号：CN1031088C
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN89100622.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/452 , C23C16/52
Abstract: 向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子，与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。
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公开(公告)号：CN1016449B
公开(公告)日：1992-04-29
申请号：CN89100620.6
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价子的元素的化合物(3)，这些化含物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。RnMn…(I)：AaBb…(II)。
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公开(公告)号：CN1235293C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02149932.2
申请日：1995-11-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种光电元件的集电极、光电元件及其制造方法。该光电元件具有半导体光电层，该集电极包含金属丝，该金属丝上因涂有导电树脂层而不直接接触光电元件，该导电树脂层防止所述金属丝的金属离子扩散进入所述光电元件的半导体光电层中，其特征是，所述导电树脂至少包含导电颗粒和粘接剂，该粘接剂包含分子量不小于500并不大于50,000的聚合物树脂。
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公开(公告)号：CN1235271C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN01104687.2
申请日：1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3063 , H01L21/465 , H01L31/18 , C25F3/12
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置，该方法包括：将物体浸入电解液作负电极；设置具有相应图形的相对电极，与物体维持预定间隔；物体和相对电极之间加直流或脉冲电流，将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括：固定基片的基片固定部件；装电解液的电解槽；移动基片固定部件的移动装置；和固定相对电极的相对电极固定部件，使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。
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