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公开(公告)号：CN1127150C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN97122014.X
申请日：1997-12-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02E10/548
Abstract: 一种电极结构，通过在导电层上叠加条形或者带状的金属件而形成，所述导电层包括聚合树脂和分散于其中的导电填料。导电层被先形成导电的薄片并在与金属件叠加之前切成图形，然后加热和加压，以提供一种具有低电阻率，粘结力强和高可靠性的电极结构。该电极结构适合于在光-电产生器件上提供集电极结构。
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公开(公告)号：CN1185040A
公开(公告)日：1998-06-17
申请号：CN97122014.X
申请日：1997-12-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02E10/548
Abstract: 一种电极结构,通过在导电层上叠加条形或者带状的金属件而形成,所述导电层包括聚合树脂和分散于其中的导电填料。导电层被先形成导电的薄片并在与金属件叠加之前切成图形,然后加热和加压,以提供一种具有低电阻率,粘结力强和高可靠性的电极结构。该电极结构适合于在光—电产生器件上提供集电极结构。
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公开(公告)号：CN1151561C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN96110224.1
申请日：1996-06-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C09J9/02
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种光电器件，至少备有一个半导体层、一个电流收集极和一个电连接到该电流收集极的汇流条。该电流收集极由金属线构成。并且将电流收集极的一部分放置在汇流条和半导体层之间。
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公开(公告)号：CN1150338A
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：CN95107160.2
申请日：1995-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C09J9/02
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电装置，该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线，该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上，在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。
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公开(公告)号：CN1147157A
公开(公告)日：1997-04-09
申请号：CN96110224.1
申请日：1996-06-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C09J9/02
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种光电器件，至少备有一个半导体层、一个电流收集极和一个电连接到该电流收集极的汇流条。该电流收集极由金属线构成。并且将电流收集极的一部分放置在汇流条和半导体层之间。
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公开(公告)号：CN1110860C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN95120983.3
申请日：1995-11-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。
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公开(公告)号：CN1389930A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN01122638.2
申请日：1995-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电装置,该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线,该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上。在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。
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公开(公告)号：CN1072737C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN96119282.8
申请日：1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种刻蚀方法，包括：将待要刻蚀的物体浸入电解液作为负电极；设置具有相应图形的相对电极，与该物体维持预定间隔；在该物体和相对电极之间施加直流或脉冲电流，从而将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。
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