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公开(公告)号:CN1127150C
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN97122014.X
申请日:1997-12-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02E10/548
Abstract: 一种电极结构,通过在导电层上叠加条形或者带状的金属件而形成,所述导电层包括聚合树脂和分散于其中的导电填料。导电层被先形成导电的薄片并在与金属件叠加之前切成图形,然后加热和加压,以提供一种具有低电阻率,粘结力强和高可靠性的电极结构。该电极结构适合于在光-电产生器件上提供集电极结构。
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公开(公告)号:CN1185040A
公开(公告)日:1998-06-17
申请号:CN97122014.X
申请日:1997-12-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/048 , Y02E10/548
Abstract: 一种电极结构,通过在导电层上叠加条形或者带状的金属件而形成,所述导电层包括聚合树脂和分散于其中的导电填料。导电层被先形成导电的薄片并在与金属件叠加之前切成图形,然后加热和加压,以提供一种具有低电阻率,粘结力强和高可靠性的电极结构。该电极结构适合于在光—电产生器件上提供集电极结构。
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公开(公告)号:CN1029992C
公开(公告)日:1995-10-11
申请号:CN89103425.0
申请日:1989-05-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: H01J37/32357 , H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器,靠微波传输电路把微波导入该容器的装置,向容器内供给原料气体的装置,将容器抽空的装置和样品支架,微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器,谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是:用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行;谐振器内设一钟罩以激励TM模式;在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。
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公开(公告)号:CN1038673A
公开(公告)日:1990-01-10
申请号:CN89103425.0
申请日:1989-05-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: H01J37/32357 , H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器、靠微波传输电路把微波导入该容器的装置、向容器内供给原料气体的装置、将容器抽空的装置和样品支架,微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器,谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是:用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行;谐振器内设一钟罩以激励TM模式;在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。
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公开(公告)号:CN1191640C
公开(公告)日:2005-03-02
申请号:CN99111120.6
申请日:1999-06-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/042 , G05F1/67
CPC classification number: H01L31/056 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/048 , H01L31/049 , H02S20/23 , H02S50/00 , Y02B10/12 , Y02E10/52
Abstract: 一种配有可读和可写存储介质的太阳能电池组件或太阳能电池组件列,在所述存储介质中可写入所述太阳能电池组件的大量信息并可从所述存储介质中读出所需信息。一种包括所述太阳能电池细件或太阳能电池组件列的太阳能电池系统。一种用于监控所述太阳能电池组件列的所述太阳能电池组件的方法。
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公开(公告)号:CN1093985C
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN97113711.0
申请日:1997-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/208 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造光电元件的方法,所述方法包括步骤:提供光电元件,该光电元件包括:下电极层,下电极层包括由Al或铝化合物构成的金属层和透明导电层;光电转换半导体层;和透明电极层,它们以所述次序层叠在基片的导电表面上;把所述光电元件浸入在电解溶液中,以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷,其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。
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公开(公告)号:CN1088262C
公开(公告)日:2002-07-24
申请号:CN95107160.2
申请日:1995-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C09J9/02
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电装置,该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线,该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上。在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。
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公开(公告)号:CN1322008A
公开(公告)日:2001-11-14
申请号:CN01104687.2
申请日:1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/3063 , H01L21/465 , H01L31/18 , C25F3/12
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括:将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括:固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。
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公开(公告)号:CN1038469A
公开(公告)日:1990-01-03
申请号:CN89100620.6
申请日:1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺,沉积膜按如下方法制成:向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的,分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2),如果需要,再引入含作为组分元素的,能控制沉积膜价电子的元素的化合物(3),这些化合物要么都呈气态,要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。
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公开(公告)号:CN1157785C
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN98126158.2
申请日:1998-11-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L23/051 , H01L23/3157 , H01L24/33 , H01L27/1421 , H01L31/0508 , H01L2224/83801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/3011 , H02S20/23 , Y02B10/12 , Y02E10/50 , H01L2924/01046 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012
Abstract: 一种非模制半导体器件,包括固定于两个外部连接接线端之间并与接线端电连接的半导体芯片;在邻接半导体芯片的区域或在其邻接半导体芯片及其附近的区域上,两个接线端中的至少一个接线端有与其它区域硬度不同的硬度。该非模制半导体器件可以很好地抵抗外力,并当其用于光电器件模块时,还可以提供具有高可靠性的非模制半导体器件。
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