公开(公告)号：CN1135636C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN98126450.6

申请日：1998-12-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一濑博文 ,  村上勉 ,  上野云绘

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明提供一种光电元件的制造方法，包括以下步骤：把至少具有形成在衬底上的第一电极层、半导体层和第二电极层的光电元件浸渍入电解液中，在电场的作用下去除由光电元件中的缺陷引起的短路电流通路，其特征在于，调节电解液中的第一成分含量和第二成分含量，控制电解液中的氢离子浓度，其中第二电极层的构成物质被第一成分电溶解，从而还提供一种光电元件的制造方法，能够减少存在于具有大面积的光电元件中的例如针孔的缺陷部位引起的漏电流，以便获得在低照度下具有优异光电发生性能的光电元件。

公开(公告)号：CN1224933A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98126450.6

申请日：1998-12-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一濑博文 ,  村上勉 ,  上野云绘

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明提供一种光电元件的制造方法,包括以下步骤:把至少具有形成在衬底上的第一电极层、半导体层和第二电极层的光电元件浸渍入电解液中,在电场的作用下去除由光电元件中的缺陷引起的短路电流通路,其特征在于,调节电解液中的第一成分含量和第二成分含量,控制电解液中的氢离子浓度,其中第二电极层的构成物质被第一成分电溶解,从而还提供一种光电元件的制造方法,能够减少存在于具有大面积的光电元件中的例如针孔的缺陷部位引起的漏电流,以便获得在低照度下具有优异光电发生性能的光电元件。