光电元件的制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1135636C

    公开(公告)日:2004-01-21

    申请号:CN98126450.6

    申请日:1998-12-03

    CPC classification number: H01L21/67086 H01L21/67075

    Abstract: 本发明提供一种光电元件的制造方法,包括以下步骤:把至少具有形成在衬底上的第一电极层、半导体层和第二电极层的光电元件浸渍入电解液中,在电场的作用下去除由光电元件中的缺陷引起的短路电流通路,其特征在于,调节电解液中的第一成分含量和第二成分含量,控制电解液中的氢离子浓度,其中第二电极层的构成物质被第一成分电溶解,从而还提供一种光电元件的制造方法,能够减少存在于具有大面积的光电元件中的例如针孔的缺陷部位引起的漏电流,以便获得在低照度下具有优异光电发生性能的光电元件。

    光电元件的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1224933A

    公开(公告)日:1999-08-04

    申请号:CN98126450.6

    申请日:1998-12-03

    CPC classification number: H01L21/67086 H01L21/67075

    Abstract: 本发明提供一种光电元件的制造方法,包括以下步骤:把至少具有形成在衬底上的第一电极层、半导体层和第二电极层的光电元件浸渍入电解液中,在电场的作用下去除由光电元件中的缺陷引起的短路电流通路,其特征在于,调节电解液中的第一成分含量和第二成分含量,控制电解液中的氢离子浓度,其中第二电极层的构成物质被第一成分电溶解,从而还提供一种光电元件的制造方法,能够减少存在于具有大面积的光电元件中的例如针孔的缺陷部位引起的漏电流,以便获得在低照度下具有优异光电发生性能的光电元件。

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