公开(公告)号：CN1131824A

公开(公告)日：1996-09-25

申请号：CN95120983.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一ノ濑博文 ,  长谷部明男 ,  村上勉 ,  新仓谕 ,  上野雪绘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/075 ,  H01L31/042 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。

公开(公告)号：CN1110860C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN95120983.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一ノ濑博文 ,  长谷部明男 ,  村上勉 ,  新仓谕 ,  上野雪绘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/075 ,  H01L31/042 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。