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公开(公告)号：CN106848016A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710222145.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
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公开(公告)号：CN104409336A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , H01L21/02436 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN102623588B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210093564.5
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103001694A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210579519.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/07 , H04B10/116
Abstract: 本发明提供了一种测试可见光通信系统中光源性能的装置。该装置包括：发射端组件，用于将电信号施加至被测试光源，生成发射角度可变的可见光测试信号；接收端组件，用于接收光测试信号，进行不同光通量条件下的被测试光源的性能测试。本发明能够测试光源在不同光通量条件下的性能。
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公开(公告)号：CN102610716A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093603.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n-GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n-GaN层，刻蚀深度小于n-GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。其可实现低成本，可工业化生产纳米图形衬底，进而提高氮化镓材料的材料质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785818B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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公开(公告)号：CN112713507A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911016481.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基回音壁激光器、其制备方法及应用，该GaN基回音壁激光器包括一衬底；一缓冲层，其设置在衬底上，缓冲层的外围向下刻蚀形成一凸起部分；一多孔DBR层，其设置在所述凸起部分上，起光场限制作用；一n型掺杂GaN层，其设置在多孔DBR层上；一有源层，其设置在n型掺杂GaN层上；一电子阻挡层，其设置在有源层上；以及一p型掺杂GaN层，其设置在电子阻挡层上。本发明采用的底部多孔DBR反射镜对回音壁微腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，不会造成部分光场向衬底方向的泄露，制备的回音壁激光器阈值功率密度较低。
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公开(公告)号：CN111816742A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010731387.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡层上；p型GaN层，位于所述InGaN/GaN多量子阱有源区上。本发明提供的LED外延结构降低了电子阻挡层对空穴注入量子阱的阻碍作用，提高了空穴注入效率；并且该LED外延结构还可以提高辐射复合系数，从而同时提高最高光功率和最大调制带宽。
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公开(公告)号：CN111785816A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010638191.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n-GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于调整谐振腔内部电场分布，增大谐振腔的谐振效果；量子点有源层，位于所述相位调整层上；量子点保护层，位于所述量子点有源层上；以及介质层，多周期结构，位于所述量子点保护层上，作为谐振腔顶部反射镜。
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公开(公告)号：CN111769182A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010666521.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；-介质隔离层；-金属颗粒层；-介质盖层；一电子阻挡层；以及一p型GaN层。本发明的表面等离激元GaN基LED外延结构包含不多于三对量子阱，由于等离激元与距离其最近的量子阱也即最靠近pgan的量子阱耦合效率最高，因而减小量子阱数目可实现载流子与等离激元耦合的最大化耦合，减小了量子阱增多带来的无效耦合，极大提高辐射复合速率。
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