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公开(公告)号：CN105047772A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510309152.4
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。
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公开(公告)号：CN104658831A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30403 , H01J2201/3048
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN104201256A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410426219.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0062
Abstract: 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4：在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5：在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN101898751A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872798A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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公开(公告)号：CN101736398A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225783.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
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公开(公告)号：CN119253408A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411211843.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种GaN基激光芯片及其制备方法，该GaN基激光芯片至下而上依次包括：n型电极（20）、衬底（10）、n型限制层（12）、下波导层（13）、有源层（14）、上波导层（15）、上限制层和p型电极（19）；其中，上限制层至下而上依次包括：p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层；p型限制层（16）两侧设有钝化层（18），空气层形成于p型电极（19）的中间，p型电极（19）在XY平面内的正投影不覆盖p型限制层（16）在XY平面内的正投影。本公开的GaN基激光芯片利用p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层共同构成上限制层，增加激光器光场限制，减小激光器的模式损耗，并降低激光器的串联电阻。
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公开(公告)号：CN118507579A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410217022.7
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结构的氮化铝真空探测器，从下至上依次包括：衬底、AlN缓冲层、AlN外延层、n‑AlGaN层、AlN层和透明电极层；AlN层和透明电极层的一侧露出n‑AlGaN层的台面，台面上设置第一金属电极，第一金属电极与n‑AlGaN层形成欧姆接触；AlN层和透明电极层露出台面的一侧设有绝缘膜，透明电极层上设置第二金属电极，形成肖特基结构。该基于肖特基结构的氮化铝真空探测器相对传统的MSM结构AlN真空紫外探测器具有受表面态影响小、可以在不外加偏压的条件下工作等优点。本发明还提供了该氮化铝真空探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN118099934A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410279029.1
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 提供一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其结构包括：第一分布式布拉格反射器；位于第一分布式布拉格反射器上的p型区；位于p型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第一电子阻挡层；位于第一电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二电子阻挡层；位于第二电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的量子阱有源区；位于量子阱有源区远离第一分布式布拉格反射器一侧的n型区；以及位于n型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，第一电子阻挡层与第二电子阻挡层共同构成阶梯式电子阻挡层；以及第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。
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