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公开(公告)号：CN119253408A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411211843.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种GaN基激光芯片及其制备方法，该GaN基激光芯片至下而上依次包括：n型电极（20）、衬底（10）、n型限制层（12）、下波导层（13）、有源层（14）、上波导层（15）、上限制层和p型电极（19）；其中，上限制层至下而上依次包括：p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层；p型限制层（16）两侧设有钝化层（18），空气层形成于p型电极（19）的中间，p型电极（19）在XY平面内的正投影不覆盖p型限制层（16）在XY平面内的正投影。本公开的GaN基激光芯片利用p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层共同构成上限制层，增加激光器光场限制，减小激光器的模式损耗，并降低激光器的串联电阻。
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公开(公告)号：CN118099934A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410279029.1
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 提供一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其结构包括：第一分布式布拉格反射器；位于第一分布式布拉格反射器上的p型区；位于p型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第一电子阻挡层；位于第一电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二电子阻挡层；位于第二电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的量子阱有源区；位于量子阱有源区远离第一分布式布拉格反射器一侧的n型区；以及位于n型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，第一电子阻挡层与第二电子阻挡层共同构成阶梯式电子阻挡层；以及第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。
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公开(公告)号：CN117580367A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311567724.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种发射极与纳米管相连的纳米真空晶体管及制备方法，纳米真空晶体管包括：收集极，绝缘层，纳米管，发射极和栅极；收集极、纳米管和发射极设置在绝缘层的第一表面，纳米管的一端与发射极连接，另一端与收集极相对且间隔预设距离；栅极设置于绝缘层的第二表面，第二表面与第一表面为相对的两个表面；其中，绝缘层被配置为：减小栅极的泄漏电流；纳米管被配置为：在收集极、发射极和栅极分别被施加电压的情况下，向收集极发射电子，以及利用纳米管的长度来控制纳米管发射电子的一端与收集极之间的距离。
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公开(公告)号：CN117410324A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311567696.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/73 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本公开提供一种具有弧形收集极结构的纳米真空沟道晶体管及制备方法，纳米真空沟道晶体管包括：收集极，绝缘层，发射极和栅极；收集极、发射极设置在绝缘层的第一表面，收集极与发射极相对且间隔预设距离，以形成真空沟道；发射极的端部形状为针尖状，收集极的端部形状为弧形；栅极设置于绝缘层的第二表面，第二表面与第一表面为相对的两个表面；其中，绝缘层被配置为：减小栅极的泄漏电流；发射极被配置为：在收集极、发射极和栅极被分别同时施加电压的情况下，向收集极发射电子。
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公开(公告)号：CN116936343A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310897320.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116565689A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210103748.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种氮化镓基激光器，包括：N型电极(1)，所述N型电极(1)上形成有依次叠设的衬底(2)、缓冲层(3)、N型铝镓氮下限制层(4)、N型铝镓氮下波导层(5)、有源区(6)、P型铝镓氮上波导层(7)、P型电子阻挡层(8)、P型铝镓氮上限制层(9)、P型欧姆接触层(10)和P型电极(11)；其中，所述P型铝镓氮上限制层(9)为渐变掺杂，沿所述P型电子阻挡层(8)指向所述P型欧姆接触层(10)方向，渐变掺杂的浓度逐渐增大。氮化镓基激光器的阈值电流和输出功率得到明显改善，电光转换效率高。
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公开(公告)号：CN112134143B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910552033.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法，其中，该激光器包括：在氮化镓衬底上依次生长的n型限制层、复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；以及P电极，制作于所述p型欧姆接触层上；N电极，制作与氮化镓衬底相接触；其中，复合下波导层包括多层铟镓氮层，该各层铟镓氮层之间的铟组分含量不同。本发明提供的该氮化镓基激光器及其制备方法，可以降低光学损耗，提高输出光功率、降低阈值电流。
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公开(公告)号：CN114566425A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210189940.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种Si基GaN及其生长方法，方法包括：在基础层(1)上生长混合梯度AlGaN层(2)；在混合梯度AlGaN层(2)上生长GaN层(3)；其中，混合梯度AlGaN层(2)中，靠近GaN层(3)一侧的Al含量小于靠近基础层(1)一侧的Al含量，以及靠近GaN层(3)一侧的维度数小于靠近基础层(1)一侧的维度数。本公开的方法降低了后续AlGaN应力调制层和GaN外延层中的穿透位错密度，提高了GaN的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114142345A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111438704.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器，其中，氮化镓基激光器制备方法包括：在衬底的上表面制作n型限制层；在第一预设生长环境中在n型限制层的上表面制作下波导层；在下波导层的上表面制作量子阱有源区；在第二预设生长环境中在量子阱有源区的上表面制作上波导层；在上波导层的上表面依次制作p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层和p型欧姆电极；在衬底的下表面制作n型欧姆接触电极，完成激光器的制备。本公开提供的氮化镓基激光器制备方法通过使上波导层和下波导层的生长环境不同，达到增强氮化镓基激光器的光场限制，提高载流子迁移率，降低电阻率，降低杂质浓度的目的。
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公开(公告)号：CN113422293A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110688710.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器，包括：下波导层；多量子阱层，形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层，形成于所述多量子阱层上；其中，所述阶梯状上波导层包括：InxGa1‑xN层和InyGal‑yN层；InxGa1‑xN层，形成于所述多量子阱层上，InyGal‑yN层，形成于所述InxGal‑xN层上；x、y分别满足：0.01≤x≤0.1，0≤y≤0.015，并且x≠y。本发明通过调控具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器的能带可有效的增加激光器的空穴注入效率，同时降低了光学损耗，从而改善了InGaN/GaN量子阱激光器的斜率效率和功率转换效率。
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