公开(公告)号：CN119253408A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411211843.6

申请日：2024-08-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  张宇恒 ,  梁锋 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/343

Abstract: 本公开提供了一种GaN基激光芯片及其制备方法，该GaN基激光芯片至下而上依次包括：n型电极（20）、衬底（10）、n型限制层（12）、下波导层（13）、有源层（14）、上波导层（15）、上限制层和p型电极（19）；其中，上限制层至下而上依次包括：p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层；p型限制层（16）两侧设有钝化层（18），空气层形成于p型电极（19）的中间，p型电极（19）在XY平面内的正投影不覆盖p型限制层（16）在XY平面内的正投影。本公开的GaN基激光芯片利用p型限制层（16）、电流扩展层（17）和空气层共同构成上限制层，增加激光器光场限制，减小激光器的模式损耗，并降低激光器的串联电阻。

公开(公告)号：CN116564793A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210103747.4

申请日：2022-01-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张宇恒 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

Abstract: 本公开提供一种氮化铝外延结构及其制备方法，制备方法包括：对衬底进行图形化，以在所述衬底表面形成预设大小的孔洞；沿垂直于所述衬底表面的方向生长氮化铝以形成成核层，其中，所述孔洞上没有覆盖所述氮化铝；在所述成核层上沿所述孔洞的空缺区域侧向外延氮化铝与所述成核层合并，以形成表面平滑的氮化铝薄膜。该制备方法能够在低成本的条件下制备高质量的氮化铝外延结构。

公开(公告)号：CN119153316A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411230556.X

申请日：2024-09-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙兆兰 ,  杨静 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  张宇恒

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H01L33/32 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种铝镓氮材料的制备方法，可应用于半导体光电材料技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化铝外延层；在氮化铝外延层上生长超晶格层，超晶格层包括周期设置的氮化铝子层和铝镓氮子层；在超晶格层上生长铝镓氮层；以及剥离得到铝镓氮材料，其中，在蓝宝石衬底上生长氮化铝缓冲层的压强不超过50mbar。通过设置氮化铝缓冲层的成核压强，调控铝原子和氮原子的迁移能力和生长模式，抑制高铝组分n型铝镓氮材料表面的梯形缺陷。本发明还提供了一种铝镓氮材料。