-
公开(公告)号:CN104246960B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201280057923.X
申请日:2012-11-26
Applicant: 塞莱斯ES股份有限公司
Inventor: 贾科莫·乌利塞 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 阿尔多·迪卡洛 , 费迪南多·里奇 , 菲利波·杰玛 , 安娜·玛丽亚·菲奥雷洛 , 马西米利亚诺·迪斯彭扎 , 罗伯塔·布蒂廖内
CPC classification number: H01J19/24 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/32 , H01J19/38 , H01J19/46 , H01J21/105 , H01J21/20
Abstract: 本发明涉及一种器件,其包括:阴极,该阴极位于阴极平面上并且在有源区中包括具有平行于第一参考方向的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子;对于每个阴极端子而言,一个或多个电子发射器形成在所述阴极端子上并且与之欧姆接触;以及栅电极,该栅电极位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上,栅电极不与阴极重叠,并且栅电极在有源区中包括具有平行于第一参考方向的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子;其中,栅极端子与所述阴极端子交错。
-
公开(公告)号:CN103730302A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201210380870.7
申请日:2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3042 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212 , H01J2329/0455 , H01J2329/4608
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源,所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环,其中,所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置,所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面,所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面,所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。
-
公开(公告)号:CN101133308A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200680007086.4
申请日:2006-03-01
Applicant: 英飞康有限责任公司
IPC: G01L21/30 , G01L21/32 , G01L21/34 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J41/00 , H01J41/02 , H01J41/04 , H01J41/06 , H01J41/08 , H01J41/10 , H01J19/00 , H01J19/02 , H01J19/04 , H01J19/10
CPC classification number: G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
Abstract: 本发明提出一种发射电子的阴极(6),它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9),将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3),该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4),该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC),同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间,并且调节门电压,其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管,金刚石状的碳,一种金属或一种金属混合物,或者一种半导体材料,半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而,发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网,或者,它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。
-
公开(公告)号:CN1130746C
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN96180399.1
申请日:1996-08-19
Applicant: 美国3M公司
Inventor: M·K·德比
CPC classification number: H01J1/3042
Abstract: 一种包括一层设置在基板一个或多个表面中至少一部分上的分立固体微结构密集阵列的电极的电子场发射显示器,微结构的面积个数密度大于107/cm2,微结构分别共形地外覆一层或多层电子发射材料,外覆电子发射材料设置在微结构的至少一部分上,其表面形貌显现纳米级凹凸不平。还揭示一种制备本发明中所使用电极的方法。
-
公开(公告)号:CN1044945C
公开(公告)日:1999-09-01
申请号:CN92105393.2
申请日:1992-07-02
Applicant: 摩托罗拉公司
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明为一个利用电子源(610)的电子装置(600),该电子源包含的材料有一个表面呈现出很低的或负的电子亲和势,例如II-B型金刚石的111结晶面。提供了电子源(802,902),它们的几何突变处一曲率半径大于约1000埃。这些电子源显著地改善了电子发射水平并缓解了对尖蜂/边缘特性的要求。所描述的利用这种电子源的电子装置包括图象发生电子装置、光源电子装置、以及信息信号放大器电子装置。
-
公开(公告)号:CN1216161A
公开(公告)日:1999-05-05
申请号:CN98800003.2
申请日:1998-01-05
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor: 罗德尔夫·鲁瑟若 , 罗伯特·T·史密斯 , 劳伦斯·N·德沃斯基
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: 电荷耗散场发射器件(200,300,400)包括一个支撑衬底(210,310,410),一个形成其上的阴极(215,315,415),一层形成在阴极(215,315,415)上的具有发射阱(260,360,460)的介质层(240,340,440),以及一个暴露于电荷收集面(248,348,448,449)的电荷耗散阱(252,352,452,453);为了流走电荷耗散场发射器件(200,300,400)工作过程中产生的气态正电荷,在每个发射阱(260,360,460)中做一个电子发射极(270,370,470),并且与介质层(240,340,440)隔离的阳极(280,380,480)用来收集电子发射极(270,370,470)发射的电子。
-
公开(公告)号:CN1177198A
公开(公告)日:1998-03-25
申请号:CN97115316.7
申请日:1997-08-01
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor: 劳伦斯·N·德沃斯基 , 迪安·巴克 , 詹姆斯·E·贾斯基 , 罗纳德·O·彼德森 , 罗伯特·T·史密斯
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J29/862 , H01J2201/30403 , H01J2329/00
Abstract: 一个场致发射显示器以及制造该显示器的一种方法已被公开。该场致发射显示器包括一个具有多个阴极射线发光沉积物的阳极,一个包括具有多个场致发射体,并被固定到阴极加固构件上的一个阴极的后面板,以及多个被配置在阳极和阴极之间,并密封地固定到其上的侧面构件。阳极和后面板的厚度足以提供所需要的结构支持来维持该场致发射显示器的机械的完整性。
-
公开(公告)号:CN1133464A
公开(公告)日:1996-10-16
申请号:CN95120084.4
申请日:1995-11-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G09G3/20
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/319
Abstract: 场致发射平板形显示器件的发射体板包括电阻材料层及导电材料的网格状结构。导电板也在由导体网格限定的间隔中电阻涂层上形成。以开始圆锥的微尖发射体在导电板的上表面形成。利用此结构,因为所有微尖端发射体都与导电板在电气上接触使它们都处于等电势。本发明也揭示了包含其上形成多个微尖发射体或由一薄层电阻材料隔开性的导电板的发射体簇的布局。
-
公开(公告)号:CN1069826A
公开(公告)日:1993-03-10
申请号:CN92105465.3
申请日:1992-07-06
Applicant: 莫托罗拉公司
CPC classification number: B82Y15/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J2201/30457
Abstract: 本发明为一场致发射电子装置,该装置采用了一个包括一个金刚石材料覆层的电子发射器,上述的金刚石覆层位于有选择地形成的导电/半导体电极(402)的表面上。本发明还涉及形成该装置的方法,该方法包括将碳离子植入导体半导体电极的一个表面使之在金刚石形成时得到成核点的作用这一步骤。
-
公开(公告)号:CN104170050B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201380014666.6
申请日:2013-03-14
Applicant: 纳欧克斯影像有限公司
CPC classification number: H01J3/14 , G01N23/046 , G01N2223/204 , G01N2223/419 , G01T1/161 , H01J1/3042 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本公开涉及一种图像采集装置,该图像采集装置包括电子接收结构和电子发射结构,并且还包括提供所述电子发射结构和所述电子接收结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线发射装置,该x射线发射装置包括x射线发射结构和电子发射结构,所述x射线发射结构包括阳极,该阳极为x射线靶标,其中,所述x射线发射装置可以包括提供所述电子发射结构和所述x射线发射结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线摄像系统,该x射线摄像系统包括图像采集装置和x射线发射装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-