公开(公告)号：CN118099934A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410279029.1

申请日：2024-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王亚晨 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/183

Abstract: 提供一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其结构包括：第一分布式布拉格反射器；位于第一分布式布拉格反射器上的p型区；位于p型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第一电子阻挡层；位于第一电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二电子阻挡层；位于第二电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的量子阱有源区；位于量子阱有源区远离第一分布式布拉格反射器一侧的n型区；以及位于n型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，第一电子阻挡层与第二电子阻挡层共同构成阶梯式电子阻挡层；以及第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。

公开(公告)号：CN118117443A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410281959.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王亚晨 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/183

Abstract: 提供一种具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器，其结构包括：衬底，所述衬底的材料包括氮化镓；位于所述衬底上的第一分布式布拉格反射器；位于所述第一分布式布拉格反射器远离所述衬底一侧的n型区；位于所述n型区远离所述衬底一侧的空穴阻挡层；位于所述空穴阻挡层远离所述衬底一侧的量子阱有源区；位于所述量子阱有源区远离所述衬底一侧的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层远离所述衬底一侧的p型区；以及位于所述p型区远离所述衬底一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，所述空穴阻挡层用于增强载流子的横向传输特性，且减少空穴向所述n型区的泄露；以及所述第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。