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公开(公告)号：CN101736398A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225783.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
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