公开(公告)号：CN120051057A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510183354.2

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵全普 ,  赵德刚 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  侯玉菲 ,  杨倩 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/227 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种基于异质结的氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：依次设置的蓝宝石衬底、氮化铝外延层、n型氮化铝镓层、氮化铝层；还包括，第一电极，位于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；第二电极，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧；以及绝缘层，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧，且位于氮化铝层与第二电极之间，其中，氮化铝层与n型氮化铝镓层之间形成异质结。通过设置高掺杂浓度的n型氮化铝镓层和未掺杂的氮化铝层，使得耗尽区主要分布在氮化铝层中，使得氮化铝层中有较高的电场强度，利于载流子的分离和运输。

公开(公告)号：CN119153316A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411230556.X

申请日：2024-09-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙兆兰 ,  杨静 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  张宇恒

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H01L33/32 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种铝镓氮材料的制备方法，可应用于半导体光电材料技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化铝外延层；在氮化铝外延层上生长超晶格层，超晶格层包括周期设置的氮化铝子层和铝镓氮子层；在超晶格层上生长铝镓氮层；以及剥离得到铝镓氮材料，其中，在蓝宝石衬底上生长氮化铝缓冲层的压强不超过50mbar。通过设置氮化铝缓冲层的成核压强，调控铝原子和氮原子的迁移能力和生长模式，抑制高铝组分n型铝镓氮材料表面的梯形缺陷。本发明还提供了一种铝镓氮材料。

公开(公告)号：CN119050173A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411227978.1

申请日：2024-09-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙兆兰 ,  赵德刚 ,  刘冰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  郑福

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体技术领域，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上沿第一方向依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和n型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一金属接触层，沿第二方向并列设置于n型铝镓氮层远离蓝宝石衬底的一侧，其中第二方向垂直于第一方向；金属铂透明电极，设置于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；以及第二金属接触层，设置于金属铂透明电极远离蓝宝石衬底的一侧。通过选用金属铂（Pt）作为透明电极以提高对真空波段的光透过率，提高器件性能。本发明还提供了一种氮化铝真空探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN117976767A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410120674.9

申请日：2024-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙兆兰 ,  赵德刚 ,  杨静 ,  梁锋 ,  刘宗顺

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/105

Abstract: 本公开提供了一种氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器，可以应用于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长i‑GaN缓冲层、i‑GaN模板层和n‑GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在TMGa的流量值为第二预设流量值的情况下，在n‑GaN层上生长i‑GaN层；控制TMGa的流量值由第二预设流量值恢复到第一预设流量值，在TMGa的流量值为第一预设流量值的情况下，在i‑GaN层上生长p‑GaN层，得到氮化镓雪崩探测器外延片；以及对氮化镓雪崩探测器外延片进行刻蚀和蒸镀，制备氮化镓雪崩探测器。

公开(公告)号：CN118507579A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410217022.7

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁峰 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结构的氮化铝真空探测器，从下至上依次包括：衬底、AlN缓冲层、AlN外延层、n‑AlGaN层、AlN层和透明电极层；AlN层和透明电极层的一侧露出n‑AlGaN层的台面，台面上设置第一金属电极，第一金属电极与n‑AlGaN层形成欧姆接触；AlN层和透明电极层露出台面的一侧设有绝缘膜，透明电极层上设置第二金属电极，形成肖特基结构。该基于肖特基结构的氮化铝真空探测器相对传统的MSM结构AlN真空紫外探测器具有受表面态影响小、可以在不外加偏压的条件下工作等优点。本发明还提供了该氮化铝真空探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN120051058A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510183443.7

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  赵全普 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  侯玉菲 ,  杨倩 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/227 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：蓝宝石衬底；氮化铝外延层，氮化铝外延层位于衬底上，其中，氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在氮化铝外延层表面的投影不完全覆盖其表面；第一电极，位于氮化铝外延层包含硅原子的区域表面；以及第二电极，位于氮化铝外延层不包含硅原子的区域表面。通过在氮化铝外延层中局部注入高浓度硅杂质，使得氮化铝外延层与第一电极形成良好的欧姆接触，而第二电极与氮化铝外延层形成肖特基接触，构建出相对MSM结构探测器响应更快且无需加较高偏压的肖特基结探测器。

公开(公告)号：CN118231511A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410397054.X

申请日：2024-04-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和P型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一Ti/Al/Ti/Au层沿第一方向并列覆盖于P型铝镓氮层上，其中第一方向为垂直于叠置方向；Ni/Au电极，设置在氮化铝层上；第二Ti/Al/Ti/Au层，设置于Ni/Au电极上。该装置受表面态影响小，能在不外加偏压的条件下工作，提高了氮化铝真空探测器的响应性能。