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公开(公告)号：CN101814537B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN101625971B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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公开(公告)号：CN101626025A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101625971A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101898751A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101898751B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNⅢ族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101626025B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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公开(公告)号：CN101814537A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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