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公开(公告)号：CN102621803B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210107639.0
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种尖劈型超透镜的制备方法，用于制造实现超分辨成像的尖劈型超透镜。其主要步骤为：在平整的紫外透明基底上依次涂布或沉积牺牲层和掩蔽层；在掩蔽层上涂光刻胶，曝光得到直线结构；将直线结构刻蚀传递到掩蔽层；用掩蔽层做掩蔽，对牺牲层进行各向同性刻蚀，使掩蔽层部分悬空；倾斜蒸镀多层膜；去除牺牲层、掩蔽层，得到尖劈型超透镜。本发明该方法只需要通过常规的光刻、IBE刻蚀、RIE刻蚀或湿法腐蚀、阴影蒸镀，就可以制备得到用于实现超分辨成像的尖劈型超透镜。
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公开(公告)号：CN102628985B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210107957.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像方法，其中，超衍射离轴照明器件从下到上依次包括透明基底层、纳米结构层、PMMA填充层和金属/介质多层膜层。其中纳米结构层可对从透明基底背面入射的照明光进行空间频率和偏振方向的调制，金属/介质多层膜层可对调制后的照明光进行空间频率的高通滤波，最终在金属/介质多层膜层的上表面可以形成一个局域在5nm～200nm范围内的消逝光场。该消逝光场可用于普通光学显微镜对待测样品的照明，实现待测样品5nm～200nm深度范围内的表层成像。所述器件所提供的照明的方式能有效减小样品内部结构的散射光对表层成像的干扰，提高表层成像的分辨率，为物质表层结构观测、成分分析提供了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN103457157A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN102621822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107914.9
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现曲面到平面超分辨缩小成像光刻的透镜，该透镜包括：可以传输光的平面多层金属-介质膜、可以缩小成像的曲面多层膜、金属掩模结构、粘连剂层及基底。本发明所述透镜简单，可行性高，只需要常规的涂胶、光刻和工艺镀膜，就可以得到物面为曲面、像面为平面的缩小倍率超分辨成像透镜，所述透镜能够传输高频信息、分辨半波长以下图形，具有广阔的应用前景；同时，本发明所述透镜拓展了现有超分辨缩小成像技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN102621601A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107575.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法，先选择基底材料；在基底表面旋涂牺牲层，其厚度为d1；在牺牲层上沉积平面多层膜，包括可用于激发表面等离子体的金属膜层和介质膜层，多层膜的厚度为d2；在多层膜上旋涂一层光刻胶，其厚度为d3；在光刻胶上曝光，显影得到所需大小的半圆形结构；将半圆形结构刻蚀转移到多层膜上，形成多层半圆形结构；在多层半圆形结构上沉积曲面多层膜，其厚度为d4；在曲面多层膜上沉积一层铬膜，膜厚为d5；在铬膜上进行开缝，缝宽为d6，间距为d7；在铬膜层上选用粘连剂粘连一块石英片；将基底和石英片泡在丙酮溶液内，通过溶解牺牲层来去掉基底材料。本发明的透镜可以实现图形的超分辨缩小成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103149153B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310035988.0
申请日：2013-01-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种超衍射材料光传输特性的测试分析方法，利用测试激发光栅、待测超衍射材料样品和检测光栅实现测试分析，其特点是：光源从激发光栅侧入射，产生多级携带高空间频率的衍射波，然后通过待测超衍射材料样品，样品的透射波与检测光栅差频形成携带待测样品传输特性的干涉条纹。并可以通过旋转待测样品测试不同空间频率衍射波的透射光强或者干涉条纹对比度，以确定待测超衍射材料样品的光传输特性。本发明方法结构简洁，设计灵活，且测试方法便捷，实时性强。
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公开(公告)号：CN102633229B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210107636.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其主要步骤为：利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽，然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜，之后利用IBE对多层膜进行刻蚀，得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作，只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后，再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。
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公开(公告)号：CN103454866A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310438387.4
申请日：2013-09-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法。一示例光刻成像设备可以包括：表面等离子体SP波照明场产生装置，被配置为接收以一定方向入射的远场照明光束，以产生特定传输波长的SP波照明场。SP波照明场可以通过掩模激发待成像的光场。远场照明光束的入射角度可以被设置为能够产生特定传输波长的SP波照明场，实现SP波通过掩模层的+1级或-1级衍射光与0级衍射光发生干涉。
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公开(公告)号：CN103399461A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN103399459A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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