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公开(公告)号：CN106872050A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710037351.3
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/02 , G01J2005/0048
Abstract: 本发明公开了一种上端面开窗的液氮杜瓦，由内、外圆柱形金属层组成真空密封腔，在内圆柱金属层顺序安装冷头，接线柱、液氮入口管和与支撑结构组成内部低温主体热传导单元，在外圆柱金属层侧面、顶面上顺序安装接插件，排气管以及窗口形成整体杜瓦结构。该结构特点在于窗口位于杜瓦上端面，内部低温主体热传导单元采用了锥形圆片状的导热结构，在保持良好的热传导性能情况下，极大地减小了冷头、杜瓦的重量，增加了所储存液氮体积；该结构优点在于振动小，重量轻，能与市场上绝大部分落射型光学测量设备组合，实现低温条件下制冷型焦平面探测器生产过程中材料，光敏元阵列芯片性能的稳定测量表征。
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公开(公告)号：CN104752563A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145256.6
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法，在台面顶部引出电极一，在台面底部引出电极二，两电极的顶部处于一个水平高度。该结构的优点在于制备工艺简单，能够提高台面型红外探测器引出电极的可靠性。
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公开(公告)号：CN104752402A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145210.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L23/538 , H01L27/144
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊的工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及加热和提拉三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖，并且能根据实际情况对互连后焊点高度进行控制。
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公开(公告)号：CN104037256A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258854.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本发明的优点是:相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本发明的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P+或p-on-N+结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。
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公开(公告)号：CN101872803B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872804A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
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公开(公告)号：CN101740501A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN1936626A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117105.0
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片，所述的探测器芯片由衬底、衬底上依次置有的缓冲层、响应红外目标辐射的光电二极管列阵组成。所述的微型滤光片是通过分子束外延原位生长在缓冲层和光电二极管列阵之间。本发明的微型滤光片的优点是：具有高均匀性、高可靠性和无信号损失的特点；滤光波段是通过严格控制作为原位滤光层的Hg1－xCdxTe的组分来实现的，从而具很高的控制精度；这种集成在红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片无需任何外光路部件，使用方便，且非常可靠和稳定。
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公开(公告)号：CN1851446A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610027007.8
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄带双波段扫描型红外焦平面探测器，该器件是由二个独立的不同波段的线列光敏元芯片通过多芯片倒焊互联与双波段读出电路实现电学连接及利用架桥式窄带滤光片贴装技术分别在二个线列光敏元上安装不同波段的窄带滤光片组成的。本发明的优点是：结构紧凑、功耗低；二个波段的线列光敏元横向距离靠的较近，有利于充分利用有效扫描视场；可以充分利用现有列阵芯片制造技术与标准CMOS读出电路制造技术实现双波段焦平面器件的制造。
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公开(公告)号：CN118969805A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016798.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , G01J5/00 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种集成超构透镜的红外彩色焦平面探测器，在平面结构红外焦平面探测器的衬底上制备具有宽谱分离聚焦功能的红外超构透镜，入射的宽谱红外光透过红外超构透镜后发生谱段分离，不同谱段的红外光在衬底内分别汇聚至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。三个亚像元独立输出探测信号，利用图像合成方法获得红外彩色图像。该探测器具有工作谱段宽、信号串扰小、能量损失少、集成度高，利用红外超构透镜与平面结构红外探测芯片获得红外彩色图像的优点。
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