公开(公告)号：CN104037256A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410258854.X

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  张鹏 ,  陈奕宇 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本发明的优点是:相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本发明的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P+或p-on-N+结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。

公开(公告)号：CN204088348U

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201420310542.4

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  张鹏 ,  陈奕宇 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本实用新型的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P+或p-on-N+结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。