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公开(公告)号：CN119492903A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411596045.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外芯片极弱暗电流的表征方法，包括：根据测试系统极限、红外芯片预期盲元率和暗电流，计算阵列像元数量的下限与上限；将红外芯片的像元阵列引出到测试管脚；利用数字源表测量像元阵列的总暗电流；暗电流根据阵列规格归一化；剔除由短路像元引入的暗电流明显偏大的异常结果；得到该器件单个像元的暗电流。本发明采用多像元并联的方法，使阵列总暗电流可以被现有测试系统准确测量，并给出了阵列像元数量的计算方法，为极弱暗电流的红外芯片提供了一种简单快捷、普适性强的表征方法。
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公开(公告)号：CN117739860A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311833362.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器倒焊面形匹配方法，本方法利用激光干涉仪测量红外光敏感芯片和读出电路的面形数据，根据预设掩膜提取有效的数据区域，拟合生成面形分布图，然后计算多种红外光敏感芯片‑读出电路组合和多旋转角度的表面距离分布及组合PV值，获得使组合PV值最小的芯片‑电路组合及其旋转角度。本发明可以高精度、自动化地实现超大面阵器件倒焊互连前的面形匹配分析，以组合PV值代替测量获得的PV值作为选择标准，允许PV值较大的红外光敏感芯片和读出电路通过面形匹配获得较好倒焊互连效果，提高倒焊互连工艺的成功率和红外光电探测器的成品率。
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公开(公告)号：CN119545933A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411623896.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维堆叠的紫外–红外双色面阵探测芯片，包括紫外探测层，衬底，红外探测层，填充胶以及读出电路，紫外探测层和红外探测层均为平面结构；紫外探测层制备在红外探测层的背面，紫外探测层和红外探测层之间设置衬底；红外探测芯片的每个像素单元与紫外探测芯片的每个像素单元一一对应，每个紫外光敏元和红外光敏元信号独立输出到红外探测层一侧的读出电路。本发明解决了现有的紫外–红外双色集成探测器没有有效阵列化、以及红外探测部分性能弱的问题，克服了不同波段光敏材料直接叠层生长难以获得高质量材料的困难。
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公开(公告)号：CN119517774A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411632592.9
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲镉汞薄膜的少子扩散长度测量方法，包括：设计具有不同数量、不同形状像元阵列；在碲镉汞薄膜材料上制备像元阵列并引出到测试管脚；在均匀入射光下，利用测试管脚测量全部阵列的总光电流；计算像元阵列扩展后的总载流子收集区域面积；建立基于扩展载流子收集区域的总光电流计算模型；根据阵列参数和光电流测试结果拟合计算模型，获得少子扩散长度。本发明提出的少子扩散长度测量方法，可以应用于历经多步材料芯片工艺、具有复杂像元结构的碲镉汞红外芯片，为碲镉汞红外薄膜的材料表征提供了一种简单快捷、普适性强的方法。
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公开(公告)号：CN118969805A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016798.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , G01J5/00 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种集成超构透镜的红外彩色焦平面探测器，在平面结构红外焦平面探测器的衬底上制备具有宽谱分离聚焦功能的红外超构透镜，入射的宽谱红外光透过红外超构透镜后发生谱段分离，不同谱段的红外光在衬底内分别汇聚至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。三个亚像元独立输出探测信号，利用图像合成方法获得红外彩色图像。该探测器具有工作谱段宽、信号串扰小、能量损失少、集成度高，利用红外超构透镜与平面结构红外探测芯片获得红外彩色图像的优点。
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