公开(公告)号：CN102534549B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110457396.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  久保万身

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。

公开(公告)号：CN102254807B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110132231.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  有贺纯史 ,  木村法史 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序中，以向在蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。由此，在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜。

公开(公告)号：CN103031530A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN102534549A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110457396.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  久保万身

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。

公开(公告)号：CN102099900A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127593.5

申请日：2009-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  柿本明修 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种清洗方法，其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗，在去除清洗液或干燥时，能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括：将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工序中，发生莱顿弗罗斯特现象，在向基板供给的清洗液的液滴和基板之间存在所述清洗液的蒸汽，在加热基板的工序中基板被加热。

公开(公告)号：CN100508165C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580030335.7

申请日：2005-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 在本发明的薄膜电容器中，抑制电场集中，降低漏电流。在由导电材料构成的下部电极(22)上形成第一锆氧化物层(26A)。在第一锆氧化物层(26A)上形成由非结晶材料构成的缓冲层(28)。在缓冲层(28)上形成第二锆氧化物层(26B)，在第二锆氧化物层(26B)上形成由导电材料构成的上部电极(24)。

公开(公告)号：CN104347353B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN103031530B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN104278252A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410478548.7

申请日：2011-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  村上博纪 ,  柿本明修

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善表面粗糙度的精度、且能够应对接触孔、线等的微细化的进展的非晶体硅膜的成膜方法。在处理室内连续进行下述工序：将基板1收容在处理室内的工序；对处理室内的基板进行加热的工序；对处理室内进行排气，调整压力的工序；在氨基硅烷系气体不热分解的条件下，向处理室内供给氨基硅烷系气体，氨基硅烷系气体被吸附而在基板上形成晶种层3的工序；在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下，向处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在晶种层3上形成非晶体硅膜4的工序；以及形成晶种层3的工序和形成非晶体硅膜4的工序。

公开(公告)号：CN102237267B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110109132.4

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  柿本明修

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种薄膜的形成方法及成膜装置。在能够真空排气的处理容器内在被处理体的表面形成含有杂质的硅膜的薄膜的形成方法中，通过反复交替进行以由硅和氢构成的硅烷系气体吸附于被处理体的表面的状态向处理容器内供给该硅烷系气体的第1气体供给工序、向处理容器内供给含有杂质的气体的第2气体供给工序，来以非晶体状态形成含有杂质的硅膜。由此，即使在较低温的条件下也能够形成埋入特性良好的非晶体状态的含有杂质的硅膜。