公开(公告)号：CN113921361A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110749578.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田吹圭司 ,  户根川大和 ,  五十岚一将 ,  矢部和雄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

公开(公告)号：CN106409718A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510461147.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本山丰 ,  福岛讲平 ,  松永正信 ,  田吹圭司 ,  户根川大和

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67098

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。

公开(公告)号：CN101532126B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200910127042.0

申请日：2009-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  户根川大和

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用硅氮化膜覆盖处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面的工序。

公开(公告)号：CN101562133B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910130094.3

申请日：2009-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门永健太郎 ,  户根川大和 ,  周保华 ,  长谷部一秀 ,  柴田哲弥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/06 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。

公开(公告)号：CN101158032B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710192998.X

申请日：2007-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  水永觉 ,  户根川大和 ,  西村俊治

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  B08B5/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。

公开(公告)号：CN1515028A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811742.5

申请日：2002-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂本浩一 ,  户根川大和 ,  藤田武彦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68 ,  H01L22/20 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: 一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。