公开(公告)号：CN101556948B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1868044B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN102292798A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005296.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物(CFx)膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：CN101942648A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010226730.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: C23C16/32

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。

公开(公告)号：CN101548368A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044435.4

申请日：2007-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊地良幸 ,  小林保男 ,  川村刚平 ,  野沢俊久 ,  石川拓

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Si(硅)的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在3.3以下的较低值的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜。因而在将该非晶碳膜用作构成半导体装置的膜的情况下，膜脱落等不良情况被抑制。

公开(公告)号：CN100485884C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580011029.9

申请日：2005-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr+)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。

公开(公告)号：CN100477108C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680001233.7

申请日：2006-04-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 龟嶋隆季 ,  川村刚平 ,  小林保男

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有上述非金属薄膜的载置台上的工序；和在上述处理容器内，导入含有有机硅烷气体的处理气体，在被装载到上述载置台上的上述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101061575A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200680001233.7

申请日：2006-04-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 龟嶋隆季 ,  川村刚平 ,  小林保男

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有上述非金属薄膜的载置台上的工序；和在上述处理容器内，导入含有有机硅烷气体的处理气体，在被装载到上述载置台上的上述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101032005A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580028448.3

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大阳日酸株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嵨隆季 ,  伊崎隆一郎 ,  神力学

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10－9体积比以下的C5F8气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成添加氟的碳膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10－9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成添加氟的碳膜。这样，进入形成的添加氟的碳膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。