公开(公告)号：CN105568255B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201510724985.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩崎征英 ,  野泽俊久 ,  山下晃平

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明提供成膜装置及喷头。成膜装置包括：载置台，其用于载置基板，并以轴线(X)为中心进行旋转；单元(U)，其以下表面与载置台相对的方式设置在第1区域内，且在该单元(U)的内部具有第1缓冲空间及第2缓冲空间；以及流量控制器，其用于独立控制向第1缓冲空间及第2缓冲空间供给的前体气体的流量。在单元(U)的下表面上设有：内侧喷射部，其具有与第1缓冲空间相连通、并用于喷射被供给到第1缓冲空间的前体气体的多个喷射口；以及中间喷射部，其具有与第2缓冲空间相连通、并用于喷射被供给到第2缓冲空间的前体气体的多个喷射口。内侧喷射部所含有的第1喷射口均设置在比中间喷射部所含有的第2喷射口靠近轴线(X)的位置。

公开(公告)号：CN101499411B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910001993.3

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久 ,  西本伸也 ,  河本慎二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。

公开(公告)号：CN101501238A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029415.X

申请日：2007-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  野泽俊久

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/228 ,  C23C16/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。

公开(公告)号：CN100492600C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480032469.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

公开(公告)号：CN101036420A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034145.2

申请日：2005-10-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(100)，在由覆盖微波透过板(28)的外周的导电体构成的板(27)上，形成两个以上的孔(42)，该孔从微波透过板(28)的端部向着其内部，传送微波，通过体积调节机构(43、45)来调节孔的体积，在将微波透过板(28)分割成各孔(42)所属于的每个单元的情况下，调节各单元的阻抗，控制微波透过板(28)的电场分布。

公开(公告)号：CN1934684A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009363.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的课题在于提高基板处理装置的清洗效率。因此，使用基板处理装置，其包括：在内部保持被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内的空间分为第一空间和第二空间的遮挡板，包括对所述第一空间进行排气的第一排气路径，和对所述第二空间进行排气的第二排气路径。

公开(公告)号：CN1659934A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813083.1

申请日：2003-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 一种等离子体处理装置，它具有：在内部进行等离子体处理用的腔室(1)；由塞住所述腔室(1)的上侧的电介质构成的顶板(15)；和作为通过所述顶板(15)将高频供给所述腔室(1)内的高频供给部件的天线部(3)；在顶板(15)内部具有反射部件(23a、23b)。反射部件(23a、23b)的侧壁起作为反射在顶板(15)内沿径向传播的高频的波反射部件的作用。或者，没有反射部件，则用顶板(15)的凹部的侧壁作为波反射部件也可以。

公开(公告)号：CN101322224B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200780000456.6

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/85978

Abstract: 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。

公开(公告)号：CN101553074B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910135779.7

申请日：2003-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种顶板，其用于在处理容器内使高频通过而生成等离子体，该顶板的特征在于：所述顶板由电介质构成，且具有波反射部件，在所述顶板的内部传播时，该波反射部件在该顶板内部反射高频，所述波反射部件具有从所述顶板的表背的至少一个表面凹陷的凹部，该凹部的变薄的部分的厚度为所述高频在所述顶板中传播时的波长的1/2倍以下。

公开(公告)号：CN101529563B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。