公开(公告)号：CN102239545A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003486.4

申请日：2010-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  大泽佑介 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板(W)保持在保持台(34)上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板(W)上(图6(A))。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器(32)内进行排气(图6(B))。在排气后，进行基于微波的等离子体的处理(图6(C))。在等离子体处理结束后，为了除去未反应的反应气体等，对处理容器(32)内进行排气(图6(D))。重复步骤(A)～步骤(D)的一连串流程直至成为所希望的膜厚。

公开(公告)号：CN101461043A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020627.1

申请日：2007-06-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包括：基板，形成于上述基板上的、由添加了氟的碳膜构成的绝缘膜，埋入到上述绝缘膜内的铜布线，及形成于上述绝缘膜与上述铜布线之间的阻挡膜。上述阻挡膜具有第1膜和第2膜；该第1膜由用于抑制氟扩散的钛构成；该第2膜形成于上述第1膜与上述铜布线之间，由用于抑制铜的扩散的钽构成。

公开(公告)号：CN101523573B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780037707.8

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器(44)、用于载置待处理体(W)的载置台(46)、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板(88)、导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体的气体导入单元(54)、和为了导入微波而设在顶板侧的具有平面天线部件的微波导入单元(92)。气体导入单元具有：位于待处理体的中央部上方的原料气体用中央部气体喷射孔(112A)；和在待处理体的周边部上方，沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔(114A)。在待处理体的上方的中央部气体喷射孔(112A)与周边部气体喷射孔(114A)之间，沿着圆周方向设有用于遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部(130)。

公开(公告)号：CN101523573A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037707.8

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器(44)、用于载置待处理体(W)的载置台(46)、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板(88)、导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体的气体导入单元(54)、和为了导入微波而设在顶板侧的具有平面天线部件的微波导入单元(92)。气体导入单元具有：位于待处理体的中央部上方的原料气体用中央部气体喷射孔(112A)；和在待处理体的周边部上方，沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔(114A)。在待处理体的上方的中央部气体喷射孔(112A)与周边部气体喷射孔(114A)之间，沿着圆周方向设有用于遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部(130)。

公开(公告)号：CN102292798A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005296.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物(CFx)膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：CN101449365A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018769.4

申请日：2007-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松冈孝明 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3127 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供一种可以获得良好的泄漏特性、线膨胀系数或机械强度的加氟碳膜的技术。利用使C5F8气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。由于在加氟碳膜中氟与氢一起排出而减少，因此聚合得到促进。这样就会减少加氟碳膜中的碳的未结合键，泄漏电流变小。另外，由于聚合得到促进，膜变得牢固，因此可以获得硬度、弹性模量之类的机械强度大的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN100466201C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03142786.3

申请日：2003-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上诚志 ,  堀込正弘 ,  河西繁

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，它不必使处理容器内对大气开放、可迅速求出温度监测用半导体硅片的热处理时的温度及其温度分布。在对被处理体(W)进行规定的热处理的热处理装置中，包括：可排气的处理容器(30)；放置被处理体的载放台(32)；向处理容器内供给气体的气体供给部件(36)；加热被处理体的加热部件(34)；根据规定的控制对象参数对加热部件的温度进行控制的温度控制部件(35)；根据以规定的浓度把第2导电型杂质注入到第1导电型半导体硅片的表面上的温度监测用半导体硅片(Wm)的薄膜电阻，对控制对象参数进行补偿的加工条件补偿部件(44)。

公开(公告)号：CN101399169B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810148858.7

申请日：2008-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  广濑繁和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/347 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置。可使形成在包含配线金属的层间绝缘膜之间的阻挡膜获得相对于构成配线金属的元素、构成层间绝缘膜的元素的高阻挡性。其中，使在处理容器内载置基板的载置台、与沿着周向形成有许多个隙缝的平面天线构件相对地设置，并将来自波导管的微波经由上述平面天线构件供给到处理容器内。另一方面自处理容器的上部供给Ar气等的等离子体产生用气体、并且自与该气体供给口不同的位置供给作为原料气体的例如三甲基硅烷气体和氮气，从而将上述气体等离子体化，并且以供给到载置台上表面的每单位面积上的偏压用高频电力在0.048W/cm2以下的方式、向上述载置部附加偏压用高频电力。

公开(公告)号：CN101399169A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810148858.7

申请日：2008-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀込正弘 ,  广濑繁和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/347 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置。可使形成在层间绝缘膜与配线金属之间的阻挡膜获得相对于构成配线金属的元素、构成层间绝缘膜的元素的高阻挡性。其中，使在处理容器内载置基板的载置台、与沿着周向形成有许多个隙缝的平面天线构件相对地设置，并将来自波导管的微波经由上述平面天线构件供给到处理容器内。另一方面自处理容器的上部供给Ar气等的等离子体产生用气体、并且自与该气体供给口不同的位置供给作为原料气体的例如三甲基硅烷气体和氮气，从而将上述气体等离子体化，并且以供给到载置台上表面的每单位面积上的偏压用高频电力在0.048W/cm2以下的方式、向上述载置部附加偏压用高频电力。

公开(公告)号：CN1542927A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN03142786.3

申请日：2003-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上诚志 ,  堀込正弘 ,  河西繁

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，它不必使处理容器内对大气开放、可迅速求出温度监测用半导体硅片的热处理时的温度及其温度分布。在对被处理体(W)进行规定的热处理的热处理装置中，包括：可排气的处理容器(30)；放置被处理体的载放台(32)；向处理容器内供给气体的气体供给部件(36)；加热被处理体的加热部件(34)；根据规定的控制对象参数对加热部件的温度进行控制的温度控制部件(35)；根据以规定的浓度把第2导电型杂质注入到第1导电型半导体硅片的表面上的温度监测用半导体硅片(Wm)的薄膜电阻，对控制对象参数进行补偿的加工条件补偿部件(44)。