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公开(公告)号：CN113169062B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980077095.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号：CN114108084A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110942163.1
申请日：2021-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。
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公开(公告)号：CN111430266A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN102044412B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN102044412A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN1965395A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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公开(公告)号：CN1947227A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012831.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , B08B5/02 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质，在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中，使晶片旋转，从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水，实质上与此同时，开始从气体喷嘴在晶片的中心部中向离开晶片的中心适当长度的点喷射氮气。然后一边使纯水喷嘴朝向晶片的周缘扫描，一边使气体喷嘴在通过晶片的中心后，在比纯水喷嘴的位置更靠径向内侧的区域朝向晶片的周缘扫描。
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