公开(公告)号：CN106977540B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN110600476A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910448552.1

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  曹仑廷

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，包括：通过在衬底上交替堆叠模制绝缘层和初步牺牲层来形成初步堆叠结构；形成穿过所述初步堆叠结构的沟道孔；以及通过所述沟道孔将所述初步牺牲层转换成牺牲层，并且所述牺牲层的厚度大于所述初步牺牲层的厚度。

公开(公告)号：CN108346559A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810069059.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  美国陶氏有机硅公司

Inventor： 郑元雄 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  崔晶植 ,  周晓兵 ,  布莱恩大卫·雷肯 ,  黄秉槿 ,  麦可大卫·泰根霍夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02222 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568

Abstract: 一种制作半导体装置的方法及形成介电层的方法。制作半导体装置的方法包括：在衬底上形成具有高度差的结构；以及使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构。形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层。形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。

公开(公告)号：CN107946174A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710946191.4

申请日：2017-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄宣惠 ,  曹仑廷 ,  郑元雄 ,  金湳健 ,  李公洙 ,  B.林 ,  赵允哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/32139 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32055 ,  H01L27/10885 ,  H01L21/02406 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02664

Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。

公开(公告)号：CN107619419A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN111943978B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN117980534A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280027186.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： H·钱德拉 ,  李明 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  H·金 ,  黄秉槿 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(

公开(公告)号：CN108735574B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201710244642.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 黄宣惠 ,  金铭云 ,  曹仑廷 ,  李相益 ,  全相勇 ,  郑仁京 ,  郑元雄 ,  崔晶植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH3键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。

公开(公告)号：CN107578995B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201710533807.5

申请日：2017-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  李炫锡 ,  赵基熙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：